晶闸管最新成果

『壹』 晶闸管电动机的发明过程

电动机使用了通电导体在磁场中受力的作用的原理（这是不同于电流的磁效应的说法，现行人教版八年级物理明确把二者分开），发明这一原理的的是丹麦物理学家奥斯特1777年8月14日生于兰格朗岛鲁德乔宾的一个药剂师家庭。1794年考入哥本哈根大学，1799年获博士学位。1801～1803年去德、法等国访问，结识了许多物理学家及化学家。1806年起任哥本哈根大学物理学教授，1815年起任丹麦皇家学会常务秘书。1820年因电流磁效应这一杰出发现获英国皇家学会科普利奖章。
1829年起任哥本哈根工学院院长。1851年3月9日在哥本哈根逝世。他曾对物理学、化学和哲学进行过多方面的研究。由于受康德哲学与谢林的自然哲学的影响，坚信自然力是可以相互转化的，长期探索电与磁之间的联系。1820年4月终于发现了电流对磁针的作用，即电流的磁效应。同年7月21日以《关于磁针上电冲突作用的实验》为题发表了他的发现。这篇短短的论文使欧洲物理学界产生了极大震动，导致了大批实验成果的出现，由此开辟了物理学的新领域──电磁学。
1812年他最先提出了光与电磁之间联系的思想。1822年他对液体和气体的压缩性进行了实验研究。1825年提炼出铝，但纯度不高。在声学研究中，他试图发现声所引起的电现象。他的最后一次研究工作是抗磁性。他是一位热情洋溢重视科研和实验的教师，他说：“我不喜欢那种没有实验的枯燥的讲课，所有的科学研究都是从实验开始的”。因此受到学生欢迎。他还是卓越的讲演家和自然科学普及工作者，1824年倡议成立丹麦科学促进协会，创建了丹麦第一个物理实验室。1908年丹麦自然科学促进协会建立“奥斯特奖章”，以表彰做出重大贡献的物理学家。1934年以“奥斯特”命名CGS单位制中的磁场强度单位。1937年美国物理教师协会设立“奥斯特奖章”，奖励在物理教学上做出贡献的物理教师。
1821年法拉第完成了第一项重大的电发明。在这两年之前，奥斯特已发现如果电路中有电流通过，它附近的普通罗盘的磁针就会发生偏移。法拉第从中得到启发，认为假如磁铁固定，线圈就可能会运动。根据这种设想，他成功地发明了一种简单的装置。在装置内，只要有电流通过线路，线路就会绕着一块磁铁不停地转动。事实上法拉第发明的是第一台电动机，是第一台使用电流将物体运动的装置。虽然装置简陋，但它却是今天世界上使用的所有电动机的祖先。
这是一项重大的突破。只是它的实际用途还非常有限，因为当时除了用简陋的电池以外别无其它方法发电。

『贰』 湖北台基半导体股份有限公司快速晶闸管kk1800a1600v多少钱

你生活的方向以及发生在你身上的每一件事情都由你的思维方式所决定，由此刻你大脑里正在进行的思维所决定，无论它们是积极的还是消极的、建设性的还是危险的。其中最好的消息就是：如果你改变了思维，你就改变了生活。因果法则必然会导出耕耘收获法则。不管你在生活和事业中种植了什么东西，你会不多不少地得到应有的收成。假如你辛勤工作、严以律己、坚定心志、不屈不挠，你就会得到相对的尊重、地位、肯定、销售上的成功、经济上的成就。要怎么收获，就先要怎么栽。耕耘收获法则的另外一种说法就是，你今天的生活是过去耕耘的结果。当你环顾生活中的各方面——你的健康、你的人际关系、你的收入、你的业绩水准、你对事业的满意度与安全感——你现在所看到的是过去耕耘，亦即投人生产因素的成果。不管基于何种原因，如果你对现在的收获不满意，那么完全要看你自己愿不愿意立刻开始改变耕耘方式。假如你想改变生活，就要投入不一样的生产因素。就像农人用不同的种子会长出不同的果实一样，你必须植入不同的思想与行动，才能获得不同的结果。

『叁』 晶体管与晶闸管的区别是什么

晶体管与晶闸管的区别：
1、晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
2、晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“vt”表示（旧标准中用字母“scr”表示）。

『肆』 低压电容补偿总隔离开关在断开位置电容为啥还能投入

在配电系统中，低压电容器是一种应用非常广泛的无功补偿设备，其安全可靠运行对配电系统的正常供电 起着关键作用。

目前无功补偿装置种类繁多。传统的低压补偿装置通常采用交流接触器作为投切开关，电容器投入时会产 生涌流，触头易粘结且不易拉开。之后，出现了晶闸管开关，它具有电压过零导通、电流过零关断能力，能限制合闸涌流，但导通时会出现导通压降，产生较大损耗和发热现象。为解决此问题，又岀现了复合开关，它由晶闸管、交流接触器并联组成，具有两种开关的优势，但正常运行时交流接触器的线圈需一直通电，增加了线路损耗。而新的复合投切开关则采用磁保持继电器来代替交流接触器与晶闸管并联，其通过CPU控制器在电压零点投入实现电容器无涌流并入配电网，在电流零点断开实现无电弧断开电容器。这样能够增强复合开关的使用使命。智能电容补偿装置是以若干台Y型或三角型联结的低压电容器为主体，釆用微电子技术、数字通信技术、传感器技术、电力电子技术等技术成果，将其集成、智能化，通过对其运行参数的实时监测实现了故障自诊断功能，采用低功耗磁保持继电器实现复合投切，多台电容器通过并联方式按控制要求投切，实现无功自动补偿，并具备了三相欠压、过压、过流、缺相等保护。能很好地适应现代低压配电网对无功补偿的需求。

『伍』 半导体材料的发展前景

半导体材料（semiconctor material） 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电阻率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。因此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。2.化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化镓、磷化铟、锑化铟、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。3.无定形半导体材料 用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。这类材料具有良好的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力，主要用来制造阈值开关、记忆开关和固体显示器件。4.有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到应用 。 特性和参数 半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。 半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别 ，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。 种类 常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等） 、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。 制备 不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上 ，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。 绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80％的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300 毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。 在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。

『陆』 西安电力电子研究所待遇如何

西安电力电子技术研究所

【研究内容】
研究范围：电力半导体器件和装置的研究。
推广技术与项目：4英寸超大功率快速晶闸管；5英寸大功率晶闸管。
学科分类： 电子、通信与自动控制技术 ； 动力与电气工程

【科研能力】
职工人数：740 (人)
技术人员： 375 (人)
机构类别： 省市系统
上级主管单位： 省科技厅
成立年代： 1966
主要研究人员：
内部机构名称： 第一研究室，第二研究室，第三研究室，第四研究室，国家工程研究中心，国家质量检测中心，行业标准室，
下属机构名称： 西安千岛实业有限责任公司，西安屹立电力电子有限责任公司，西安爱帕克电力电子有限公司，西安西普电力电子有限公司
出版刊物： 电力电子技术 季刊
生产产品： KS双向晶闸管 ； 超大功率晶闸管 ； 大功率晶闸管 ； 大功率GTO组件 ； 大功率整流管 ； 高压电子束轰击炉电源 ； 快恢复二极管 ； 快开通晶闸管 ； 脉冲电镀电源 ； KK快速晶闸管 ； 高压等离子风洞整流电源
科研成果： LGBT模块封装技术研究 ； 绝缘栅双极晶体管IGBT模块 ； 小光控晶闸管DV/DT测试台 ； MJ-Ⅱ/50型半自动磨角机技术工艺设备研究 ； GTR模块结构及封闭工艺 ； GTO应用共性基础技术研究 ； 晶闸管综合特性测试台 ； GTR模块测试技术和设备 ； 地铁动车斩波调压系统 ； KK2000A/1600V超大功率快速晶闸管 ； 12KV1500A高压晶闸管组件 ； 功率器件用中子嬗变掺杂直拉硅及其应用 ； Φ77MM系列大功率低损耗晶闸管 ； 直径100MM特大功率晶闸管 ； 城市轨道交通车用大功率GTO组件 ； KHS型大电流整流装置 ； 阳极短路型可关断晶闸管研究 ； 光控晶闸管能发源 ； Φ100MM3000A/5500V特大功率晶闸管 ； IGBT测试技术研究 ； KDH-Ⅱ型3000KW电力回收装置 ； 600A、1000～1800V大功率GTO晶闸管 ； Φ125MM三峡直流输电用超大功率晶闸管 ； 大容量高频率IGBT模块 ； IGBT器件封闭技术 ； GTO元件及组件开关时间测试台 ； GTR模块、GTO组件及应用模块测试技术和设备 ； 300MW汽轮发电机旋转励磁整流组件 ； 非对称晶闸管ASCR500A/2000V研究 ； 大功率GTO组件 ； 中板可逆轧机主传动晶闸管微机控制 ； 高压大电流快速晶闸管KK1000A/2000V的研究 ； 高频晶闸管的研制 ； KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源 ； 高电压大电流高可靠性晶闸管研究 ； ±100KV舟山直流输电成套设备 ； 晶闸管稳态热阻及瞬态热阻抗测试方法研究和测试设备研制
拥有专利： 制造快速晶闸管的扩金新工艺 ； 桥臂组件结构的密封励磁功率柜
获奖情况： 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖 ； 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖
【研究成果】（共71项，以下显示其中10项）
￠77mm晶闸管元件
超高压大功率晶闸管的国产化 (中国机械工业科学技术奖三等奖)
4in超大功率快速晶闸管 (中国机械工业科学技术奖二等奖)
大功率电解整流电源
GTO GTR应用电路模块
GTO GTR应用共性基础技术
IGBT器件的制造和工艺技术
MCT计算机辅助设计制造技术和测试技术
绝缘栅双极晶体管IGBT模块
KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源
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【申请专利】（共3项 ，以下显示其中10项）
桥臂组件结构的密封励磁功率柜 (申请号:97239564.4)
钼片回收新方法 (申请号:88103038.4)
制造快速晶闸管的扩金新工艺 (申请号:86102417)
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【发表期刊论文】（共41篇 ，以下显示其中10篇）
阀组件在电力系统中的应用前景 楼晓峰 (电力设备 2006(7) )
ZK1150/4500快恢复二极管的研制 郭永忠 (电力电子技术 2006(5) )
60 t进口直流电弧炉电源的改造 王保荣 (工业加热 2006(1) )
Ф100快速晶闸管的研制 高山城 (电力电子技术 2005(5) )
X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响 马颖 (液晶与显示 2005(4) )
高压变频器散热系统的设计 王丹 (电力电子技术 2005(2) )
有关交流拖动系统的IEC及国内标准动态 金东海 (电力电子技术 2005(2) )
直流输电用超大功率晶闸管少子寿命在线控制 李建华 (电力电子技术 2005(1) )
电弧炉与电网 张殿军 (工业加热 2004(5) )
采用谐振极软开关逆变器的异步电机直接转矩控制仿真研究 黄晓东 (西安理工大学学报 2004(3) )
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【发表学术会议论文】（共19篇 ，以下显示其中10篇）
国内外电力电子器件发展现状 (2004年全国电力网无功/电压技术研讨会 (2004-10-1))
晶闸管智能模块 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
热管结构的10kV晶闸管阀组件 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
PRC电路中负载变化对逆变器开关状态的影响 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
三峡工程与高压直流输电 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
电力电子集成技术的现状及发展方向 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
4万t/a离子膜整流装置的运行总结 (第20届全国氯碱行业技术年会 (2002-9-1))
基于空间电压矢量的永磁同步电机控制系统仿真 (第七届中国电力电子与传动控制学术会议 (2001-7-1))
采用热管散热和φ100mm晶闸管的巨型励磁功率柜 (CSEE中国电机工程学会大电机专业委员会2001年度励磁学术讨论会 (2001-5))
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【起草标准】（共61项 ，以下显示其中10项）
半导体器件 分立器件第6部分:晶闸管第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13151-2005)
半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13150-2005)
电力半导体器件用接插件 (标准编号:JB/T 5843-2005)
电力半导体器件用门极组合件 (标准编号:JB/T 5835-2005)
电力半导体器件用管芯定位环 (标准编号:JB/T 5842-2005)
电力半导体器件用管壳瓷件 (标准编号:JB/T 10501-2005)
低压直流电源设备的性能特性 (标准编号:GB/T 17478-2004)
半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器 (标准编号:GB/T 3859.4-2004)
电工术语 电力电子技术 (标准编号:GB/T 2900.33-2004)
电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 (标准编号:GB/T 8446.1-2004)
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【媒体新闻】（共6篇 ，以下显示其中10项）
直流设备全面国产化之路能走多远 (2006-9-13)
大型清洁高效发电装备被列入重点发展对象 (2006-6-21)
曾培炎：振兴装备制造业关系现代化建设的全局 (2006-6-20)
国务院振兴装备制造业工作会议举行 (2006-6-20)
电力电子行业修改生产许可证实施细则 (2003-4-16)
西安电力电子技术研究所勇攀科技高峰 (2003-4-9)
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【联系信息】
机构名称： 西安电力电子技术研究所
曾 用 名： 机械工业部西安整流器研究所
负 责 人： 陆剑秋 职务： 所长 职称： 高级工程师，教授
地 址： 陕西省西安市朱雀大街94号 (710061)
电 话： (029) 85271717（办），85271888，85271829（科）
传 真： (029) 8691
电子邮件： [email protected] ； [email protected]
网 址： http://www.chinaperi.com

『柒』 电力电子器件有哪些基本类型,其发展趋势如何

一：电力电子器件的分类共有四大类！
其中每类又能分出多种不同类型：
一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：
1、半控型器件，例如晶闸管；
2、全控型器件，例如（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；
3、不可控器件，例如电力二极管。
二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：
1、电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；
2、电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。
三、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：
1、脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；
2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：
1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；
2、单极型器件，例如MOSFET、SIT；
3、复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT。
二：高频化、集成化、标准模块化和智能化是电力电子器件未来的主要发展方向。

(1)随着电力电子技术应用的不断发展，对电力电子器件性能指标和可靠性的要求也日益苛刻。具体而言，要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的通态压降、更快的开关时间，而对于航天和军事应用，还要求有更强的抗辐射能力和抗振动冲击能力。特别是航天、航空、舰船、输变电、机车、装甲车辆等使用条件恶劣的应用领域，以上要求更为迫切。

(2)未来几年中，尽管以硅为半导体材料的双极功率器件和场控功率器件已趋于成熟，但是各种新结构和新工艺的引入，仍可使其性能得到进一步提高和改善，Coolmos、各种改进型IGBT和IGCT均有相当的生命力和竞争力。

(3)电力电子器件的智能化应用也在不断研究中取得了实质成果。一些国外制造企业已经开发出了相应的IPM智能化功率模块，结构简单、功能齐全、运行可靠性高，并具有自诊断和保护的功能。

(4)新型高频器件碳化硅和氮化镓器件正在迅速发展，一些器件有望在不远的将来实现商品化，总部位于美国北卡罗来纳的CREE公司已经实现商用的SiC二极管和MOSFET[2] 。但由于材料和制造工艺方面的问题，还需要大量的研究投入和时间才能逐步解决，位于北卡州立大学的FREEDM中心正在对此技术进行研究。

『捌』 我国生产晶闸管的大厂商有哪些

生产ESD静电保护器件的厂商有很多，具体还是要看采购的元器件到底哪家厂家能够及时给您供货，对于电子元器件来说，现货、供货交期、价格、品牌、售后服务都是同等重要的。ESD静电保护器件种类繁多，封装多样。

具体有：QFN-0201、SOD-882、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-123S、SOD-323、 SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8、SOIC-16 等。

陆芯科技：

上海陆芯电子科技有限公司是一家专注于最新一代功率半导体器件的高科技公司。公司经过不断努力，成功通过 ISO9001：2015质量管理体系认证，拥有自主知识产权和品牌。陆芯公司目前累计拥有17项自主创新专利。

2019年获得上海市第一批国家级高新技术企业荣誉资质，陆芯聚焦于功率半导体（IGBT、SJMOS & SiC）的设计和应用，掌握创新型功率半导体核心技术。