⑴ 闪存是那个发明的
就是朗科,有了闪存以后不要软驱了。
⑵ 内存是谁发明的
北京缘人
⑶ 既然U盘是朗科发明的,那么里面的闪存芯片是谁发明的
只是到做flash的厂家,以前我们做U盘多用,三星、现代、镁光的flash
⑷ 内存卡是谁发明的
桀冈富士雄。
桀冈富士雄:英文名Fujio Masuoka,出生于1943年,日本人,闪存的发明者。在任东芝公司生产线中层管理人员时,即一心要发明能象软磁盘那样可插取、具有“磁带”存储功能的存储器。
桀冈富士雄于1971年加入东芝公司。大约在1984年,桀冈富士雄发明了一种独特的存储器件,鉴于桀冈的业绩,东芝拟提拔他担任公司最高技术职务,但桀冈拒绝接受,并于1994年出任东北大学电气通信研究所教授,进一步研究闪存技术。2002年,桀冈作为“闪存之父”入选世界知名商业杂志《福布斯》国际版封面人物。
(4)闪存是谁发明扩展阅读:
桀冈富士雄发明的闪存是世界上被广泛用于数码相机、手机、汽车、洗衣机等电器的必要存储装置。具有只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)和电可擦除的优点,读存储器(EEPROM)器件的理想特征。
与RAM和EEPROM一样,可以对这些新颖的器件或同类的ROM进行写、擦除和重写数据的操作,器件能将可恢复的静态数据保存几乎无限长时间。此外,与RAM和ROM相比,桀冈富士雄的存储器容量容易提高。与ROM和EEPROM相比,该芯片能长时期存储数据,不需要备份电池或外部电源。
⑸ 闪存是谁发明的拜托各位大神
闪存的发展历史 在1984年,东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器(此处简称专闪存)的概属念。与传统电脑内存不同,闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电後不会丢失),其记录速度也非常快。 Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年,公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小,并被内嵌于一个录音机里。後来,Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术,并拥有一个SRAM接口。 第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制,并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%,它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半,在更小的存储空间中NAND 获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现,它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。
⑹ 闪存的发展过程
在1984年,东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同,闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电后不会丢失),其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年,公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小,并被内嵌于一个录音机里。後来,Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术,并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制,并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%,它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半,在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现,它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。 闪存市场仍属于群雄争霸的未成熟时期。三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。
由于战略上的一些错误,Intel在第一次让出了它的榜首座椅,下落至三星、日立和Spansion之後。
AMD闪存业务部门Spansion同时生产NAND和NOR闪存。它上半年的NOR闪存产量几乎与Intel持平,成为NOR闪存的最大制造商。该公司在上半年赢利为13亿美元,几乎是它整个公司利润额(25亿美元)的一半以上。
总体而言,Intel和AMD在上半年成绩喜人,但三星和日立却遭受挫折。
据市场调研公司iSuppli所做的估计,全球的闪存收益将达到166亿美元,比2003年(116.4亿美元)上涨46%。消息者对数码相机、USB sticks和压缩式MP3播放器内存的需求将极大推动闪存的销售。据预测,2005年闪存的销售额将达到175亿美元。不过,iSuppli估计,2005年至2008年闪存的利润增涨将有所回落,最高将达224亿美元。 与许多寿命短小的信息技术相比,闪存以其16年的发展历程,充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初,闪存才初入市场;至2000年,利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任,彼得曾说:“就闪存的生命周期而言,我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信,闪存的销售仍具有上升空间,并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌宣布,其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底,英飞凌公司计划采用170纳米制造工艺,每月制造超过10,000片晶圆。而2007年,该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
此外,Intel技术与制造集团副总载Stefan Lai认为,在2008年之前,闪存将不可替代。2006年,Intel将首先采用65纳米技术;到2008年,正在研发的新一代45纳米技术将有望投放市场。Stefan Lai觉得,预测仍然比较浅显,或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但Stefan Lai也承认,2008年至2010年,新的技术可能会取而代之。
尽管对闪存替代品的讨论越来越激励,闪存仍然受到市场的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器,而且在速度和写周期上略胜一筹。此外,生产成本也应该相对低廉。由于制造技术还不成熟,新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。下面就让我们来认识一下几种能的替代产品:
⑺ NAND闪存是由谁发明的又是谁最先生产的
东芝发明的。
⑻ 谁发明U 盘
中国朗科公司。
⑼ 我们通常所说的“U盘”“闪存盘”是由哪个国家所发明的
中国
2004年12月7日,朗科获得美国国家专利局正式授权的闪存盘基础发明专利,美国专利号US6829672。这一专利权的获得,最终结束了这场争夺.中国朗科公司才是U盘的全球第一个发明者.
⑽ 优盘是谁发明的呀
没错,是一个中国人
当U盘代替软盘成为人们常备的移动存储工具时,很少有人知道,U盘不是产品名称而只是一个公司注册的闪存盘商标,而这个发明世界第一款闪存盘,并因此荣获闪存盘全球基础性发明专利的公司,其创始人、发明专利持有者之一、哈尔滨朗科科技有限公司总裁吕正彬,在创业之初,就在哈尔滨开发区海外学人创业园安了家,并与深圳朗科公司一道领导着全球移动存储行业的发展潮流。
朗科公司推出的以优盘为商标的闪存盘(OnlyDisk)是世界上首创基于USB接口,采用闪存(Flash Memory)介质的新一代存储产品。闪存盘,是中国在计算机存储领域二十年来唯一属于中国人的原创性发明专利成果。