nand发明人

A. u盘是哪个国家哪个人发明的

自1998年至2000年，有很多公司声称自己是第一个发明了USB闪存盘。包括中国朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。但是真正获得U盘基础性发明专利的却是中国朗科公司。 2002年7月，朗科公司“用于数据处理系统的快闪电子式外存储方法及其装置”（专利号：ZL 99 1 17225.6）获得国家知识产权局正式授权。该专利填补了中国计算机存储领域20年来发明专利的空白。该专利权的获得引起了整个存储界的极大震动.包括以色列M-Systems立即向中国国家知识产权局提出了无效复审,一度成为全球闪存领域震惊中外的专利权之争.但是2004年12月7日，朗科获得美国国家专利局正式授权的闪存盘基础发明专利，美国专利号US6829672。这一专利权的获得,最终结束了这场争夺.中国朗科公司才是U盘的全球第一个发明者.美国时间2006年2月10日，朗科委托美国摩根路易斯律师向美国德克萨斯州东区联邦法院递交诉状，控告美国PNY公司侵犯了朗科的美国专利(美国专利号US6829672)。2008年2月，朗科与PNY达成庭外和解。朗科向PNY签订专利许可协议，PNY向朗科公司缴纳专利许可费用1000万美元。这是中国企业第一次在美国本土收到巨额专利许可费用.也进一步证明了朗科是U盘的全球发明者。

现在的闪存盘都支持USB2.0标准；然而，因为NAND闪存技术上的限制，它们的读写速度目前还无法达到标准所支持的最高传输速度480Mbit/s。目前最快的闪存盘已使用了双通道的控制器，但是比起目前世代的硬盘，或是USB2.0能提供的最大传输速率来说，仍然差上一截。目前最高的传输速率大约为20-40MB/s，而一般的文件传输速度大约为10MB/s。较旧型的「fullspeed」12Mbit/s设备传输速率最大约只有1MB/s。其中业界的佼佼者有深圳朗科公司,M-Systems公司,新加坡Trek公司

B. 闪存是谁发明的

闪存的发展历史 在1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电後不会丢失)，其记录速度也非常快。 Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术，并拥有一个SRAM接口。 第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND 获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。 查看原帖>>

C. U盘是哪个国家发明的是什么人发明的这个人叫什么这个发明的专利号是多少

U盘是中国朗科公司发明的，这个发明的专利号是ZL 99 1 17225.6，美国专利号US6829672。

自1998年至2000年，有很多公司声称自己是第一个发明了USB闪存盘。包括中国朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。

但是真正获得U盘基础性发明专利的却是中国朗科公司。2002年7月，朗科公司“用于数据处理系统的快闪电子式外存储方法及其装置”（专利号：ZL 99 1 17225.6）获得国家知识产权局正式授权。

该专利填补了中国计算机存储领域20年来发明专利的空白。该专利权的获得引起了整个存储界的极大震动。包括以色列M-Systems立即向中国国家知识产权局提出了无效复审，一度成为全球闪存领域震惊中外的专利权之争。

但是2004年12月7日，朗科获得美国国家专利局正式授权的闪存盘基础发明专利，美国专利号US6829672。这一专利权的获得，最终结束了这场争夺。中国朗科公司才是U盘的全球第一个发明者。

(3)nand发明人扩展阅读：

U盘的组成很简单，主要由外壳+机芯组成，其中：

1、机芯：机芯包括一块PCB+USB主控芯片+晶振+贴片电阻、电容+USB接口+贴片LED（不是所有的U盘都有）+FLASH（闪存）芯片；

2、外壳：按材料分类，有ABS塑料、竹木、金属、皮套、硅胶、PVC软件等；按风格分类，有卡片、笔型、迷你、卡通、商务、仿真等；按功能分类，有加密、杀毒、防水、智能等；

3、对一些特殊外形的PVCU盘，有时会专门制作特定配套的外包装。

D. NAND闪存是由谁发明的又是谁最先生产的

东芝发明的。

E. 内存卡是以色列人发明的吗

闪存盘发明人——深圳市朗科科技有限公司 这个是U盘.....USB是在1994年底由英特尔、康柏、IBM、Microsoft等多家公司联合提出的 98年开始有雏形的，02年浪科申请了专利 桀冈富士雄：闪存发明者。在任东芝公司生产线中层管理人员时，即一心要发明能象软磁盘那样可插取、具有“磁带”存储功能的存储器。鉴于桀冈的业绩，东芝拟提拔他担任公司最高技术职务，但桀冈拒绝接受，并于1994年出任东北大学电气通信研究所教授，进一步研究闪存技术。2002年，桀冈作为“闪存之父”入选世界知名商业杂志《福布斯》国际版封面人物。闪存是目前世界上被广泛用于数码相机、手机、汽车、洗衣机等电器的必要存储装置 桀冈称，他在东芝就职期间，分别于1980年和1987年成功发明用于个人电脑等电器内的“NOR型”和作为Compact Flash外部存储装置用于数码相机等电器的“NAND型”两种闪存半导体。东芝从桀冈的发明中大获收益，仅在日本国内即获41件专利 这个是闪存卡

F. 内存卡是谁发明的

桀冈富士雄。

桀冈富士雄：英文名Fujio Masuoka，出生于1943年，日本人，闪存的发明者。在任东芝公司生产线中层管理人员时，即一心要发明能象软磁盘那样可插取、具有“磁带”存储功能的存储器。

桀冈富士雄于1971年加入东芝公司。大约在1984年，桀冈富士雄发明了一种独特的存储器件，鉴于桀冈的业绩，东芝拟提拔他担任公司最高技术职务，但桀冈拒绝接受，并于1994年出任东北大学电气通信研究所教授，进一步研究闪存技术。2002年，桀冈作为“闪存之父”入选世界知名商业杂志《福布斯》国际版封面人物。

(6)nand发明人扩展阅读：

桀冈富士雄发明的闪存是世界上被广泛用于数码相机、手机、汽车、洗衣机等电器的必要存储装置。具有只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)和电可擦除的优点，读存储器(EEPROM)器件的理想特征。

与RAM和EEPROM一样，可以对这些新颖的器件或同类的ROM进行写、擦除和重写数据的操作，器件能将可恢复的静态数据保存几乎无限长时间。此外，与RAM和ROM相比，桀冈富士雄的存储器容量容易提高。与ROM和EEPROM相比，该芯片能长时期存储数据，不需要备份电池或外部电源。

G. 闪存的发展过程

在1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性（也就是所存储的数据在主机掉电后不会丢失），其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。 闪存市场仍属于群雄争霸的未成熟时期。三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。
由于战略上的一些错误，Intel在第一次让出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。
AMD闪存业务部门Spansion同时生产NAND和NOR闪存。它上半年的NOR闪存产量几乎与Intel持平，成为NOR闪存的最大制造商。该公司在上半年赢利为13亿美元，几乎是它整个公司利润额（25亿美元）的一半以上。
总体而言，Intel和AMD在上半年成绩喜人，但三星和日立却遭受挫折。
据市场调研公司iSuppli所做的估计，全球的闪存收益将达到166亿美元，比2003年（116.4亿美元）上涨46%。消息者对数码相机、USB sticks和压缩式MP3播放器内存的需求将极大推动闪存的销售。据预测，2005年闪存的销售额将达到175亿美元。不过，iSuppli估计，2005年至2008年闪存的利润增涨将有所回落，最高将达224亿美元。 与许多寿命短小的信息技术相比，闪存以其16年的发展历程，充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初，闪存才初入市场；至2000年，利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任，彼得曾说：“就闪存的生命周期而言，我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信，闪存的销售仍具有上升空间，并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌宣布，其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米制造工艺，每月制造超过10,000片晶圆。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
此外，Intel技术与制造集团副总载Stefan Lai认为，在2008年之前，闪存将不可替代。2006年，Intel将首先采用65纳米技术；到2008年，正在研发的新一代45纳米技术将有望投放市场。Stefan Lai觉得，预测仍然比较浅显，或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但Stefan Lai也承认，2008年至2010年，新的技术可能会取而代之。
尽管对闪存替代品的讨论越来越激励，闪存仍然受到市场的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器，而且在速度和写周期上略胜一筹。此外，生产成本也应该相对低廉。由于制造技术还不成熟，新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。下面就让我们来认识一下几种能的替代产品：

H. U盘是谁发明的他是哪个国家的人

U盘的发明者系中山大学本科毕业 朗科公司总裁、留学归国人员邓国顺。中國人。

I. u盘是谁发明的

自1998年至2000年，有很多公司声称自己是第一个发明了USB闪存盘。包括中国朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。但是真正获得U盘基础性发明专利的却是中国朗科公司。 2002年7月，朗科公司“用于数据处理系统的快闪电子式外存储方法及其装置”（专利号：ZL 99 1 17225.6）获得国家知识产权局正式授权。该专利填补了中国计算机存储领域20年来发明专利的空白。该专利权的获得引起了整个存储界的极大震动。包括以色列M-Systems立即向中国国家知识产权局提出了无效复审,一度成为全球闪存领域震惊中外的专利权之争。但是2004年12月7日，朗科获得美国国家专利局正式授权的闪存盘基础发明专利，美国专利号US6829672。这一专利权的获得，最终结束了这场争夺。.中国朗科公司才是U盘的全球第一个发明者。美国时间2006年2月10日，朗科委托美国摩根路易斯律师向美国德克萨斯州东区联邦法院递交诉状，控告美国PNY公司侵犯了朗科的美国专利(美国专利号US6829672)。2008年2月，朗科与PNY达成庭外和解。朗科向PNY签订专利许可协议，PNY向朗科公司缴纳专利许可费用1000万美元。这是中国企业第一次在美国本土收到巨额专利许可费用.也进一步证明了朗科是U盘的全球发明者。
现在的闪存盘都支持USB2.0标准；然而，因为NAND闪存技术上的限制，它们的读写速度目前还无法达到标准所支持的最高传输速度480Mbit/s。目前最快的闪存盘已使用了双通道的控制器，但是比起目前时代的硬盘，或是USB2.0能提供的最大传输速率来说，仍然差上一截。目前最高的传输速率大约为20-40MB/s，而一般的文件传输速度大约为10MB/s。较旧型的12Mbit/s设备传输速率最大约只有1MB/s。其中业界的佼佼者有深圳朗科公司,M-Systems公司,新加坡Trek公司。