绝缘栅场效应管的发明

❶ 绝缘栅型场效应管 中的 “栅” 字念什么呀

shan
栅极
shānjí
〖grid〗由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极,插在电子管另外两个电极之间,起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用

❷ 绝缘栅型场效应管为什么会产生电场

你好，
受静电力F跟它的电荷量比值，定义式E=F/q ，适用于一切电场；其中F为电场对试探电荷的作用力，q为试探电荷的电荷量。单位N/C。 定量的实验证明，在电场的同一点，电场力的大小与试探电荷的电荷量的比值是恒定的，跟试探电荷的电荷量无关。它只与产生电场的电荷及试探电荷在电场中的具体位置有关，即比值反映电场自身的特性（此处用了比值定义法），因此我们用这一比值来表示电场强度，简称场强，通常用E表示。

方向
电场中某点的场强方向规定为放在该点的正电荷受到的静电力方向

❸ 绝缘栅型场效应管原理

绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。

工作原理：

图2中衬底为P型半导体，在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压UGS，则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场，在这一电场作用下，P型硅表面的多数载流子-空穴受到排斥，使硅片表面产生一层缺乏载流子的薄层。同时在电场作用下，P型半导体中的少数载流子-电子被吸引到半导体的表面，并被空穴所俘获而形成负离子，组成不可移动的空间电荷层（称耗尽层又叫受主离子层）。UGS愈大，电场排斥硅表面层中的空穴愈多，则耗尽层愈宽，且UGS愈大，电场愈强；当UGS增大到某一栅源电压值VT（叫临界电压或开启电压）时，则电场在排斥半导体表面层的多数载流子-空穴形成耗尽层之后，就会吸引少数载流子-电子，继而在表面层内形成电子的积累，从而使原来为空穴占多数的P型半导体表面形成了N型薄层。由于与P型衬底的导电类型相反，故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层，把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来，形成导电沟道。

主要参数：

Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

BVDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.

PDSM—最大耗散功率。是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

❹ MOS管是谁发明的！

MOS管是谁发明无法考证。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压Mos管。

❺ 如何判断分结型场效应管，绝缘栅型场效应管

场效应管分结型场效应管、绝缘栅型场效应管两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（IGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。由于绝缘栅型的栅极为金属铝，所以又称为MOS管。绝缘栅型又可分为增强型和耗尽型，其中耗尽型是添加了离子的。
结型场管脚识别
1.场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
2.将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G.对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
3.判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
4.注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。

❻ 绝缘栅场效应管

所谓绝缘栅是指这种晶体管的栅极与受控沟道之间隔着一层二氧化硅，具有极高的输入阻抗近乎绝缘，相比结型场效应管而言输入阻抗更高，更能体现电压控制器件的优势特性，从应用来看结型场效应管多应用于小信号、弱电流场合比如前置放大器、恒流源等等，绝缘栅场效应管则多用于大功率、强电流驱动场合，目前广泛用于工控、电力电子等领域。

❼ 绝缘栅型场效应管的介绍

绝缘栅型场效应管IGFETInsulated Gate Field Effect Transister也称金属氧化物半导体三极管（Metal Oxide Semiconctor FET,简写为MOSFET），通常说的MOS管就是指绝缘栅型场效应管。

❽ 绝缘栅场效应管的介绍

绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。

❾ 场效应管是谁发明的

场效晶体管（场效应晶体管)是一种用电场效应来控制电流的电子器件。场效应晶体管是一种三极管，包括源极、栅极和漏极。场效应晶体管通过向栅极施加电压来控制电流，这反过来会改变漏极和源极之间的电导率。
场效应晶体管因其只需要一种载流子起作用，故又称为单极型晶体管。即，场效应晶体管以电子或空穴中的一种作为载流子。现已有许多不同类型的场效应晶体管。场效应晶体管通常在低频时显示非常高的输入阻抗。

场效应晶体管既可以作为多数载流子器件（由多子导电），又可以作为少数载流子器件（由少子导电）。[3]该器件由电荷载流子（电子或空穴）从源极流到漏极的有源沟道组成。源极导体和漏极导体通过欧姆接触联结。沟道的电导率是栅源电压的函数。
场效应晶体管的三个电极包括:[4]
源极(S)，载流子经过源极进入沟道。通常，在源极处进入通道的电流由IS表示。
漏极(D)，载流子通过漏极离开沟道。通常，在漏极处进入通道的电流由ID表示。漏极与源极之间的电压由VDS表示。
栅极(G)，调制沟道电导率的电极。通过向栅极施加电压，可以控制ID。

所有场效应晶体管都有源极、漏极和栅极，大致对应于双极型半导体三极管的发射极、基极和集电极。大多数场效应晶体管都有第四个电极，称为主体电极、集电极、基底或衬底。该第四端子用于使晶体管偏置工作；在电路设计中异常使用主体电极是很少见的，但是当设置集成电路的物理布局时，主体电极是很重要的。栅极的大小（右图中的长度L）为源极和漏极之间的距离。其宽度为晶体管在垂直于图中横截面的方向上的延伸(即进入/离开屏幕)。通常，宽度比栅极的长度大得多。1μm栅极长将上限频率限制在大约5千兆赫，0.2μm栅极长则将上限频率限制在大约3万兆赫左右。