A. linux单机提交VASP任务的命令
同意这位童鞋的意见。。。弄了台联想的T350机器，支持的linux系统只有RHEL和SUSE的企业版本。。。收费啊而且也不熟悉。。。Ubuntu Server装不上，CentOS装上了不知道为啥卡的要死。:work:...
这个不是机器的问题，我们的服务器是IBM的，也看过戴尔的机器，官方的系统都是这两个，但是其他的系统应该不影响安装的，只要阵列卡做好了，驱动打上了，都是没有问题的，而且我的机器目前还没遇到驱动问题。我曾经打过戴尔和IBM总部客服，他们的工程师是说他们不是说不支持，只是说官方没有测试过，但是在一些特殊需求的客户中他们还是装过比如ubuntu之类的系统的。建议
B. [转载]VASP能够进行哪些过程的计算怎样设置
我们平时最常用的研究方法是做单点能计算，结构优化、从头计算的分子动力学和电子结构相关性质的计算。 一般我们的研究可以按照这样的过程来进行 如果要研究一个体系的最优化构型问题可以首先进行结构弛豫优化，然后对优化后的结构进行性质计算或者单点能计算。 如果要研究一个体系的热力学变化过程可以首先进行分子动力学过程模拟，然后在某个温度或压强下进行性质计算或者单点能计算。 如果要研究一个体系的热力学结构变化可以首先在初始温度下进行NVT计算，然后进行分子动力学退火，然后在结束温度下进行性质计算研究。 什么是单点能计算(single point energy)？如何计算？ 跟其它软件类似，VASP具有单点能计算的功能。也就是说，对一个给定的固定不变的结构（包括原子、分子、表面或体材料）能够计算其总能，即静态计算功能。 单点能计算需要的参数最少，最多只要在KPOINTS文件中设置一下合适的K点或者在INCAR文件中给定一个截断能ENCUT就可以了。还有一个参数就是电子步的收敛标准的设置EDIFF，默认值为EDIFF=1E-4，一般不需要修改这个值。 具体来说要计算单点能，只要在INCAR中设置IBRION=-1也就是让离子不移动就可以了。 什么是结构优化(structure optimization)？如何计算？ 结构优化又叫结构弛豫（structure relax），是指通过对体系的坐标进行调整，使得其能量或内力达到最小的过程，与动力学退火不同，它是一种在０Ｋ下用原子间静力进行优化的方法。可以认为结构优化后的结构是相对稳定的基态结构，能够在实验之中获得的几率要大些（当然这只是理论计算的结果，必须由实验来验证）。 一般要做弛豫计算，需要设置弛豫收敛标准，也就是告诉系统收敛达成的判据（convergence break condition)，当系统检测到能量变化减小到一个确定值时例如EDIFFG=1E-3时视为收敛中断计算，移动离子位置尝试进行下一步计算。EDIFFG这个值可以为负，例如EDIFFG=-0.02，这时的收敛标准是当系统发现所有离子间作用力都小于给定的数值，如０.０２eV/A时视为收敛而中断。 弛豫计算主要有两种方式：准牛顿方法(quasi-Newton RMM-DIIS)和共轭梯度法(CG)两种。准牛顿方法计算速度较快，适合于初始结构与平衡结构（势能面上全局最小值）比较接近的情况，而CG方法慢一些，找到全局最小的可能性也要大一些。选择方法为IBRION=1时为准牛顿方法而IBRION=2时为CG方法。 具体来说要做弛豫计算，设置IBRION=1或者2就可以了，其它参数根据需要来设置。NSW是进行弛豫的最大步数，例如设置NSW=100，当计算在100步之内达到收敛时计算自动中断，而100步内没有达到收敛的话系统将在第100步后强制中止（平常计算步数不会超过100步，超过100步可能是计算的体系出了问题）。参数通常可以从文献中发现，例如收敛标准EDIFFG等。 有的时候我们需要一些带限制条件的弛豫计算，例如冻结部分原子、限制自旋的计算等等。冻结部分原子可以在POSCAR文件中设置selective dynamic来实现。自旋多重度限制可以在INCAR中以NUPDOWN选项来设置。另外ISIF选项可以控制弛豫时的晶胞变化情况，例如晶胞的形状和体积等。 费米面附近能级电子分布的smearing是一种促进收敛的有效方法，可能产生物理意义不明确的分数占据态情况，不过问题不大。在INCAR文件中以ISMEAR来设置。一般来说K点只有一两个的时候采用ISMEAR=0，金属体材料用ISMEAR=1或2,半导体材料用ISMEAR=-5等等。不过有时电子步收敛速度依然很慢，还需要设置一些算法控制选项，例如设置ALGO=Very_Fast，减小真空层厚度，减少K点数目等。 弛豫是一种非常有效的分析计算手段，虽然是静力学计算但是往往获得一些动力学得不到的结果。
C. vasp出现zbrent时还需要继续计算吗
vasp出现zbrent时还需要继续计算
用HSE06方法计算半导体的能带结构，首先DFT计算进行离子弛豫，然后HSE06 进行静态自洽计算。最后在这一步的基础上读取波函数进行能带计算。但是我的理论知识不够，能带计算的的路径不会选取，关于布里渊区的相关知识不太懂，有人说可以将上一步的IBZKPT文件拷贝到KPOINTS中，然后把高对称点拷贝到后面，权重为0，更新K点总数即可。
D. VASP计算能带图，怎样自动生成K点，并设置KPOINTS文件
用HSE06方法计算半导体的能带结构，首先DFT计算进行离子弛豫，然后HSE06 进行静态自洽计算。最后在这一步的基础上读取波函数进行能带计算。但是我的理论知识不够，能带计算的的路径不会选取，关于布里渊区的相关知识不太懂，有人说可以将上一步的IBZKPT文件拷贝到KPOINTS中，然后把高对称点拷贝到后面，权重为0，更新K点总数即可。
E. 请教vasp计算服务器配置
the forces acting on the ions are calculated from ab-initio using a self-consistent electronic density and Hellmann-Feynman fo ... Hellmann–Feynman force在量子力学的教程都有介绍,力就是能量对位移的一次微分的负值,即 F=-delta V, delta是倒三角的梯度算符,所以力的单位有ev/A.leoaqu(站内联系TA)设置EDIFFG在incar里lvjian8596(站内联系TA)Originally posted by stractor at 2009-6-25 22:43:
Hellmann–Feynman force在量子力学的教程都有介绍,力就是能量对位移的一次微分的负值,即 F=-delta V, delta是倒三角的梯度算符,所以力的单位有ev/A.ustbmars(站内联系TA)请教一下,什么是哈密顿量,是能量的泛函么?
F. vasp画能带问题 求教各位
请告诉我！物理，我真的很喜欢画画，让我有目标下手。我不仅仅是因为怕文化课差上不了大学才决定艺考，生物各科100分）。谢谢，才考了357，或者文化课至少要达到几分的。如果各位有谁知道国美录取相关信息的，也请告诉我
G. vasp计算哪些问题有优势
vasp相比其他收费的软件便宜，相比免费的软件发展的完善，使用相对简单。速度快，效率高。用的人多，讨论起来容易。一句话，性价比高。
H. vasp计算能带出错，求助
用VASP DFT计算能带时我需要考虑自旋轨道耦合（SOC）
我的问题如下：
（1）计算时，在INCAR中加入SOC的参数，是考虑在SCF自洽时加，还是在 band计算加入。
（2）加入的参数该如何设置，网上有朋友说加入下列参数就可以了
LNONCOLLINEAR= .TRUE
LSORBIT = .TRUE.
SAXIS = 0 0 1 ! (quantisation axis for spin)
我想请算过SOC的朋友指导下
（3）如果是 hse06 +soc时计算能带时什么时候加入SOC参数
I. 求助一下如何超算中心提交vasp任务
刘仕晨(站内联系TA)vasp是不能直接计算声子谱的，至少我不知道啦，我们经费不多，所以是用的phonopy接口vasp计算的，当然也还在摸索中，不知道其他大神有没有好的方法，或者用pwscf计算声子刘仕晨(站内联系TA)集群装phonopy可能有点麻烦了。