8英寸igbt成果匯報

1. 南車IGBT工廠的地址

1、中國南車在株洲投入近15億元，建設了國內首條8英寸IGBT晶元生產基地，可年產12萬片8英寸IGBT晶元和100萬只IGBT模塊IGBT晶元。公司副總經理劉可安介紹，明年年底正式投產後，可提高現有產量逾7倍。2008年，中國南車收購英國丹尼克斯半導體公司，掌握了成熟的IGBT設計、製造和檢測技術，隨後在英國成立功率半導體海外研發中心，專注IGBT晶元、碳化硅等高端技術研發與應用。公司現已掌握了電壓等級從1200伏到6500伏不等的5種IGBT晶元及模塊封裝、測試、應用技術，並成功實現國內城市軌道車輛、大功率交流傳動電力機車裝車，安全運行50餘萬公里。
2、湖南省株洲市石峰區時代路。田心工業園時代路169號。

2. igbt國內龍頭企業有哪些

1、斯達半導

嘉興斯達半導體股份有限公司成立於2005年4月，是一家專業從事功率半導體晶元和模塊尤其是IGBT晶元和模塊研發、生產和銷售服務的國家級高新技術企業。

股票簡稱：斯達半導，代碼：603290。公司總部設於浙江嘉興，佔地106畝，在浙江、上海和歐洲均設有子公司，並在國內和歐洲設有研發中心，是目前國內IGBT領域的領軍企業。

以上內容參考：嘉興斯達半導體股份有限公司-關於我們

以上內容參考：上海陸芯電子科技有限公司-關於我們

以上內容參考：湖北台基半導體股份有限公司-關於我們

以上內容參考：揚州揚傑電子科技股份有限公司-公司簡介

以上內容參考：英搏爾-公司介紹

3. IGBT使用

根據你說的情況，有個地方還沒描述清楚，就是你驅動IGBT的門極電壓幅值是多少？是+-15V嗎？根基你描述的問題就是開通時沒有問題，就是門極的正電壓是可以的，但關閉是有一個4V的雜波，大於IGBT的門限電壓，導致誤觸發，使IGBT直通炸管。建議你看看你的門極負電壓是多少，對於這些使用在高壓大電流的IGBT，建議你使用-15V關斷，原因主要如下，IGBT關斷時，瞬間的過壓尖峰通過米勒電容對門極電容進行充電，如果你負壓不夠，門極電壓抬升的比較多，可能會導致誤觸發。

4. 比亞迪的IGBT真的很牛

就像華為的海思晶元，近兩年，汽車行業內的IGBT逐漸為人所熟知。
新能源汽車的成本構成中，最大頭當然是動力電池，第二高的就是IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）。作為與動力電池電芯齊名的「雙芯」之一，占整車成本約5%左右的IGBT，正在變得越來越重要。
IGBT能有多重要？就在於，它能直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定電動車扭矩和最大輸出功率等核心指標，可謂「牽一發而動全身」。
所以，近日總投資10億元的比亞迪IGBT項目在長沙正式動工，無疑就非常令人矚目。據悉，該項目設計年產25萬片8英寸晶圓的生產線，投產後可滿足年裝50萬輛新能源汽車的產能需求。
如今，比亞迪IGBT晶元晶圓的產能已經達到5萬片/月，預計2021年可達到10萬片/月，一年可供應120萬輛新能源車，也就是相當於2019年新能源汽車銷量的總數。
不過，我們關心的是，對於比亞迪來說，其IGBT技術達到了什麼程度？在整個IGBT格局中，比亞迪處於一個什麼位置？
打破壟斷
作為一種功率半導體，IGBT應用非常廣泛，小到家電、大到飛機、艦船、交通、電網等戰略性產業。此外，IGBT還是國家「02專項」的重點扶持項目，已經全面取代了傳統的Power MOSFET，被稱為電力電子行業里的「CPU」。
在新能源領域，IGBT的應用也非常重要。比如，在電動汽車的「三電」方面，TESLA的Model S使用的三相非同步驅動電機，其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT晶元，三相共需要使用84顆IGBT晶元。算算總量，就可知需求的龐大。此外，充電樁的核心部件也要用到IGBT晶元。
但是，長期以來，被壟斷在少數IDM（Integrated device manufacturer）手上，比如英飛凌Infineon、富士電機、三菱等外資企業。
數據顯示，2019年期間，英飛凌為國內電動乘用車市場供應62.8萬套IGBT模塊，市佔率達到58%。而比亞迪供應了19.4萬套，市佔率達到18%。可以說，如果沒有比亞迪，中國車規級IGBT晶元市場國內企業一直被「卡脖子」的局面無法緩解。這是實情。
比亞迪打破國際巨頭的壟斷，是值得高興的事。不過，值得注意的是，如果按照之前2019年比亞迪IGBT自供比率約在70%(或以上)的預測，也就是接近15萬套來算，對外供應的量也就是4萬多套，比亞迪還是相當保守的。
所以，4月14日比亞迪宣布通過整合公司半導體業務、成立獨立的「比亞迪半導體有限公司」，就是想使IGBT業務量擴大，提升其商業前景。根據中金公司的預計，比亞迪半導體拆分上市後市值可達300億元，無疑也只有外供IGBT才能帶來如此效益。
按照2018年的相關統計，在一輛純電動汽車中，IGBT約占驅動電機系統成本的一半，而驅動電機系統占整車成本的15~20%，也就是說IGBT占整車成本的7~10%。而據中信證券報告顯示，IGBT目前在插電混動車型上約佔2500~3500元成本，A級以上純電動車IGBT單車成本在2000~4000元，豪華車相對高一點，在5000元以上。
而且，中信證券認為，全球電動車高增長（尤其是A級以上車型）將帶動IGBT需求放量，2020年行業空間約97億元，預計2025年有望達到370億元，年復合增長率超過30%。所以說，如果比亞迪IGBT銷量擴大，收益當然可觀。
據悉，比亞迪下一步的規劃是讓IGBT的外供比例爭取超過50%。而之前比亞迪的孤單，顯示出關鍵零部件領域自主品牌的技術弱勢,現在局面有所緩解。不過，如果我們從國際IGBT技術發展趨勢來看，比亞迪還得加快步伐。
競爭的格局
之前，比亞迪已經在秦、唐等多個車型中採用自主研發的IGBT，但直到2018年9月，才第一次對外宣布。從專利數量來說，截至2018年11月，比亞迪在該領域累計申請IGBT相關專利175件，其中授權專利114件。
截至目前，比亞迪車用IGBT裝車量已累計超過60萬只。如果我們光看比亞迪的報道，自豪感會油然而生。但是，放眼望去，比亞迪面對的都是強手。
從IGBT的應用電壓來看，汽車主要是600V到1200V之間，這個區間里英飛凌Infineon具有壓倒性優勢，安森美雖然在600V-1200V領域也有市場，但主要是非車載領域。而三菱和富士電機瓜分了日本市場，豐田混動所用的IGBT全部內部完成，有自己完整的IGBT生產供應鏈。
江山代有才人出，除了這幾家巨頭，根據IHS Markit的最新報告，一家2018年度IGBT模塊全球市場份額佔有率排名第8位、唯一進入世界排名TOP10的中國企業——斯達半導（603290），也已成為比亞迪的勁敵。
根據上市剛剛兩個月的斯達半導的年報，其去年生產的車規級 IGBT 模塊已經配套了超過 20 家車企，合計配套超過16萬輛新能源汽車（而根據NE時代的統計，2019年斯達供應了17,129套IGBT模塊，市佔率1.6%。）如果加上在工業控制及電源行業、變頻白色家電及其他行業的應用，斯達半導的IGBT營收已經超過了比亞迪半導體。
不僅如此，就IGBT技術實力來看，比亞迪發展到了IGBT 4.0（相當於國際第五代），而斯達半導已經發展到了第六代，該公司基於第六代Trench Field Stop技術的650V/750V IGBT 晶元及配套的快恢復二極體晶元，已在新能源汽車行業實現應用。
從全球看，IGBT目前已經發展到7.5代，第7代由三菱電機在2012年推出，三菱電機目前的水平可以看作7.5代，而比亞迪2018年12月12日才發布IGBT 4.0技術（也就是國際上第五代技術），所以說，目前的差距還是很大的。
差距有多大？
不過，IGBT技術目前接近封頂也是公認的。當今科技日新月異，IGBT的戰場之外，下一代爭奪將在SiC（碳化硅）技術上。豐田汽車就表示過:「SiC具有與汽油發動機同等的重要性。」
其實，碳化硅（SiC）是一種廣泛使用的老牌工業材料，1893年已經開始大規模生產了。作為第三代半導體材料，發展潛力巨大。而且，SiC技術已經在日本全面普及，無論三菱這樣的大廠還是富士電機、Rohm這樣的小廠，都有能力輕松製造出SiC元件。
鑒於SiC的重要性,豐田的策略是完全自主生產。實際上，豐田從上世紀80年代就開始了SiC的研究,領先全球30年。到2014年，豐田已經能試產關鍵的SiC基板。
?
這里說句題外話，SiC基板是關鍵，而落後日本企業很多的英飛凌，2016年7月決定收購的美國CREE集團旗下電源和RF部門(「Wolfspeed」),核心就是SiC基板技術。不過，最終被美國的外國投資委員會（CFIUS）以關繫到國家安全的原因否了。
目前，比亞迪也已研發出SiC MOSFET。預計到2023年，比亞迪將採用SiC基半導體全面替代硅基半導體，這樣的話，整車性能在現有基礎上可以再提升10%。除了驅動效率提高，SiC MOSFET體積可以減少70~80%，這也是業內公認的，SiC是新能源車提高效率最有效的技術。
當然，光晶元提升還不行，整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、晶元、封裝等SiC基半導體全產業鏈也要跟進，才能進一步降低SiC器件的製造成本，加快其在電動車領域的應用。
所以，從技術上來說，比亞迪要追趕的路還很長。而且相對於斯達半導的全球化業務，比亞迪IGBT的國外業務還有待展開。不過相比較而言，比亞迪在國內自主品牌中還是取得了一定的優勢，就像華為手握晶元終極武器一樣。面對汽車行業百年未有之變局，技術驅動將重新構建行業格局，無疑是沒錯的。
文/王小西
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5. 誰能看懂這個圖啊 IGBT升壓的知識 ~急急急~~

Boost變換器的組成和工作原理
Boost變換器的組成如圖1所示。當Boost變換器的開關S導通時，二極體因承受反向電壓而關斷，其等效電路如圖2a所示。電流iL流過電感線圈L，電流線性增加，電能以磁能形式儲在電感線圈L中。此時，電容C放電，僅由電容向負載RL供電，負載上流過電流IO。
當開關S關斷時，其等效電路如圖2b所示，由於電感L中的電流iL不能突變，強迫二極體VD導通續流，這樣電感L與電源Vs同時向電容C、負載RL供電。當電感電流高於Io時，電容被充電並同時向負載提供電能；而當電感電流小於Io時，電感和電容同時向負載RL放電，維持Vo不變。

關於Boost電路的深入分析可參閱IGBT應用技術網http://www.igbt8.com/的文章http://www.igbt8.com/bl/65.html

6. 中車株洲所IGBT打破強國壟斷 「中國芯」是怎樣煉成的

請問中車株洲時代電氣公司生產IGBT晶元上背的是什麼金屬

7. 關於IGBT

l 、判斷極性首先將萬用表撥在 R×1K 。擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ) ：黑表筆接的為發射極（ E ）。

2 、判斷好壞將萬用表撥在 R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發時極 ( E ) ，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ) ，這時工 GBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站們指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（ G ）和發射極（ E ) ，這時 IGBT 被阻斷，萬用表的指針 回零。此時即可判斷 IGBT 是好的。

3 、注意事項任何指針式萬用表鈴可用於檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在 R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。

8. 什麼是IGBT，中國成功研製出8英寸IGBT的意義

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管晶元）與FWD（續流二極體晶元）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝後的IGBT模塊直接應用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上；
由於電子工業基礎薄弱、技術門檻高等原因，我國大功率IGBT器件一度開發滯後，相關技術長期被ABB、英飛凌、三菱等國外公司控制，軌道交通用IGBT曾一度全部依賴進口。
近年來，世界范圍內IGBT器件發展迅速，特別是中國發展速度最快，成為IGBT器件最大消費國。未來隨著國家節能減排、加強自主創新能力等政策的引導和支持，市場的需求量逐年迅猛增長。據統計，目前我國IGBT年需求量已超過75億元，而且每年以30%以上的速度增長。我國的技術進步和產業升級對IGBT器件有著很強的依賴性，國內IGBT市場供不應求。有關資料預測，到2020年，僅軌道交通電力牽引每年IGBT模塊的市場規模不低於10億元；此外，智能電網市場也將不低於4億元。

中國成功研製出8英寸IGBT的意義：智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及家電節能等本土市場，更為企業的技術突破，實現IGBT的替代創造了堅實的市場基礎。尤其是節能與新能源是國家發展新興科技產業的重點，而IGBT則是節能與新能源領域核心器件，所以IGBT產業化不僅僅是市場需求，同時也是國家發展的戰略需求。發改委於2010年3月19日下發紅頭文件：《國家發展改革委辦公廳關於組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》，其專項重點明確了以IGBT為代表的晶元和器件的設計開發及產業化、功率模塊產業化。這說明國家對目前功率半導體國產化的現狀已有比較深刻的認識和危機意識

9. IGBT擊穿原因

檢查負載是否有短路造成短時間內IGBT過熱燒壞擊穿；檢查控制信號波形是否正常，造成沒有工作在開關區，可以看看脈沖形成電路元件是否變值；原來好好的電路不會是配對問題

10. igbt如何實現功率放大求原理圖。

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由於實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特徵，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標准雙極器件相比，可支持更高電流密度，並簡化IGBT驅動器的原理圖。IGBT基本結構見圖1中的縱剖面圖及等效電路。

導通

IGBT矽片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和N+ 區之間創建了一個J1結。

當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，並完全按照功率MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內，那麼，J1將處於正向偏壓，一些空穴注入N-區內，並調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，並啟動了第二個電荷流。最後的結果是，在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：一個電子流(MOSFET 電流)； 空穴電流(雙極)。

關斷

當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低於門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始後，在N層內還存在少數的載流子(少子)。這種殘余電流值(尾流)的降低，完全取決於關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特徵尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極體的設備上，問題更加明顯。

鑒於尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與晶元的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的，尾流特性與VCE、 IC和 TC之間的關系如圖2所示。

反向阻斷

當集電極被施加一個反向電壓時， J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區擴展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個機制十分重要。另一方面，如果過大地增加這個區域尺寸，就會連續地提高壓降。
第二點清楚地說明了NPT器件的壓降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的壓降高的原因。

正向阻斷

當柵極和發射極短接並在集電極端子施加一個正電壓時，P/N J3結受反向電壓控制。此時，仍然是由N漂移區中的耗盡層承受外部施加的電壓。

閂鎖

IGBT在集電極與發射極之間有一個寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。這種現象會使集電極與發射極之間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題。晶閘管導通現象被稱為IGBT閂鎖，具體地說，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態有密切關系。通常情況下，靜態和動態閂鎖有如下主要區別：

當晶閘管全部導通時，靜態閂鎖出現。
只在關斷時才會出現動態閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區 。
為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要採取以下措施：
防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。
降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。
此外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結溫的關系也非常密切；在結溫和增益提高的情況下，P基區的電阻率會升高，破壞了整體特性。因此，器件製造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。

正向導通特性

在通態中，IGBT可以按照「第一近似」和功率MOSFET驅動的PNP晶體管建模。圖3所示是理解器件在工作時的物理特性所需的結構元件(寄生元件不考慮在內)。

如圖所示，IC是VCE的一個函數(靜態特性)，假如陰極和陽極之間的壓降不超過0.7V，即使柵信號讓MOSFET溝道形成(如圖所示)，集電極電流IC也無法流通。當溝道上的電壓大於VGE -Vth 時，電流處於飽和狀態，輸出電阻無限大。由於IGBT結構中含有一個雙極MOSFET和一個功率MOSFET，因此，它的溫度特性取決於在屬性上具有對比性的兩個器件的凈效率。功率MOSFET的溫度系數是正的，而雙極的溫度系數則是負的。本圖描述了VCE(sat) 作為一個集電極電流的函數在不同結溫時的變化情況。當必須並聯兩個以上的設備時，這個問題變得十分重要，而且只能按照對應某一電流率的VCE(sat)選擇一個並聯設備來解決問題。有時候，用一個NPT進行簡易並聯的效果是很好的，但是與一個電平和速度相同的PT器件相比，使用NPT會造成壓降增加。

動態特性

動態特性是指IGBT在開關期間的特性。鑒於IGBT的等效電路，要控制這個器件，必須驅動MOSFET 元件。

這就是說，IGBT的驅動系統實際上應與MOSFET的相同，而且復雜程度低於雙極驅動系統。如前文所述，當通過柵極提供柵正偏壓時，在MOSFET部分形成一個N溝道。如果這一電子流產生的電壓處於0.7V范圍內， P+ / N- 則處於正向偏壓控制，少數載流子注入N區，形成一個空穴雙極流。導通時間是驅動電路的輸出陰抗和施加的柵極電壓的一個函數。通過改變柵電阻Rg (圖4)值來控制器件的速度是可行的，通過這種方式，輸出寄生電容Cge和 Cgc可實現不同的電荷速率。

換句話說，通過改變 Rg值，可以改變與Rg (Cge+C**) 值相等的寄生凈值的時間常量(如圖4所示)，然後，改變*V/dti。數據表中常用的驅動電壓是15V。一個電感負載的開關波形見圖5，di/dt是Rg的一個函數，如圖6所示，柵電阻對IGBT的導通速率的影響是很明顯的。

因為Rg數值變化也會影響dv/dt斜率，因此，Rg值對功耗的影響很大 。
在關斷時，再次出現了我們曾在具有功率MOSFET和 BJT 器件雙重特性的等效模型中討論過的特性。當發送到柵極的信號降低到密勒效應初始值時，VCE開始升高。如前文所述，根據驅動器的情況，VCE達到最大電平而且受到Cge和 Cgc的密勒效應影響後，電流不會立即歸零，相反會出現一個典型的尾狀，其長度取決於少數載流子的壽命。

在IGBT處於正偏壓期間，這些電荷被注入到N區，這是IGBT與MOSFET開關對比最不利特性之主要原因。降低這種有害現象有多種方式。例如，可以降低導通期間從P+基片注入的空穴數量的百分比，同時，通過提高摻雜質水平和緩沖層厚度，來提高重組速度。由於VCE(sat) 增高和潛在的閂鎖問題，這種排除空穴的做法會降低電流的處理能力。

安全運行區SOA

按電流和電壓劃分，一個IGBT的安全運行區可以分為三個主要區域，如下表所示：

這三個區域在圖8中很容易識別 。

通常每一張數據表都提供了正向導通(正向偏置安全運行區FBSOA)、反向(反向偏置安全運行區RBSOA)和短路(短路安全運行SCSOA)時描述強度的曲線。

詳細內容：

FBSOA

這部分安全運行區是指電子和空穴電流在導通瞬態時流過的區域。在IC處於飽和狀態時，IGBT所能承受的最大電壓是器件的物理極限，如圖8所示。

RBSOA

這個區域表示柵偏壓為零或負值但因空穴電流沒有消失而IC依然存在時的關斷瞬態。如前文所述，如果電流增加過多，寄生晶體管會引發閂鎖現象。當閂鎖發生時，柵極將無法控制這個器件。最新版的IGBT沒有這種類型的特性，因為設計人員改進了IGBT的結構及工藝，寄生SCR的觸發電流較正常工作承受的觸發電流(典型Ilatch>5 IC 正常)高出很多。關於閉鎖電流分別作為結溫和柵電阻的一個函數的變化情況，見圖9和10。

SCSOA

SCSOA是在電源電壓條件下接通器件後所測得的驅動電路控制被測試器件的時間最大值。圖11所示是三個具有等效特性但採用不同技術製造的器件的波形及關斷時間 。

最大工作頻率

開關頻率是用戶選擇適合的IGBT時需考慮的一個重要的參數，所有的矽片製造商都為不同的開關頻率專門製造了不同的產品。

特別是在電流流通並主要與VCE(sat)相關時，把導通損耗定義成功率損耗是可行的。

這三者之間的表達式：Pcond = VCE IC ，其中， 是負載系數。
開關損耗與IGBT的換向有關系；但是，主要與工作時的總能量消耗Ets相關，並與終端設備的頻率的關系更加緊密。

Psw = Ets
總損耗是兩部分損耗之和：
Ptot = Pcond + Psw
在這一點上，總功耗顯然與Ets 和 VCE(sat)兩個主要參數有內在的聯系。

這些變數之間適度的平衡關系，與IGBT技術密切相關，並為客戶最大限度降低終端設備的綜合散熱提供了選擇的機會。

因此，為最大限度地降低功耗，根據終端設備的頻率，以及與特殊應用有內在聯系的電平特性，用戶應選擇不同的器件。