半導體二極體發明

㈠ 二極體是誰發明的

英國科學家弗萊明。

1884年，弗萊明出訪美國時拜會了愛迪生，共同討論了電發光的問題。愛迪生發現了熱電子發射現象，弗萊明立刻意識到這是一個重大的技術發現，弗萊明親自做了實驗，還找到愛迪生共同研討有關熱電子發射的問題。

並推測「愛迪生效應」的背景可能就是由陰極射向陽極的單向電子流，他根據自己對「愛迪生效應」的理解，設計製造了世界上第一隻電子二極體，也是人們後來所說的「真空二極體」。真空二極體的發明標志著人類進入了無線電時代。並於1904年11月16日在英國取得專利。

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電子二極體的原理

現代的真空管共由4種基本構件組成：極對燈絲(Filament) (加熱用)、陰極(Cathode)、柵極(Grid)和陽極(Anode)。當極對燈絲連上電壓對陰極加熱，激發陰極電子通過柵極打在陽極上。通過這樣的電子流，電子管可以將較小的交流電放大成較強的信號，實現信號放大功能。

在信號放大的同時，通過控制柵極電壓可以控制電子流量，因而獲得所需的電子特性。PN接合二極體是n型半導體和p型半導體互相結合所構成。PN接合區彼此的電子和電洞相互抵消，造成主要載子不足，形成空乏層。

在空乏層內N型側帶正電，P型側帶負電，因此內部產生一個靜電場，空乏層的兩端存在電位差。但是如果讓兩端的載子再結合的話，兩端的電壓差則會變成零

㈡ 晶體二極體是誰發明的

繼真空管以後，1948年沃爾特•豪澤•布喇頓、約翰•布拉頓和威廉•肖克萊又發明了晶體管。

㈢ 半導體雪崩光電二極體的雪崩二極體的發明

1965年，K.M.約翰遜及L.K.安德森等分別報道了在微波頻率下仍然具有相當高光電流增益的、均勻擊穿的半導體雪崩光電二極體。從此，雪崩光電二極體作為一種新型、高速、靈敏的固態光電探測器件漸漸受到重視。
性能良好的雪崩光電二極體的光電流平均增益嚔可以達到幾十、幾百倍甚至更大。半導體中兩種載流子的碰撞離化能力可能不同，因而使具有較高離化能力的載流子注入到耗盡區有利於在相同的電場條件下獲得較高的雪崩倍增。但是，光電流的這種雪崩倍增並不是絕對理想的。一方面，由於嚔隨注入光強的增加而下降，使雪崩光電二極體的線性范圍受到一定的限制，另一方面更重要的是，由於載流子的碰撞電離是一種隨機的過程，亦即每一個別的載流子在耗盡層內所獲得的雪崩增益可以有很廣泛的幾率分布,因而倍增後的光電流I比倍增前的光電流I0有更大的隨機起伏，即光電流中的雜訊有附加的增加。與真空光電倍增管相比，由於半導體中兩種載流子都具有離化能力，使得這種起伏更為嚴重。一般將光電流中的均方雜訊電流〈i戩〉表示為
〈i戩〉=2qI0嚔2F(嚔)B
式中q為電子電荷,B為器件工作帶寬，F(嚔)表示雪崩倍增過程所引起雜訊的增加，稱為過剩雜訊因子。一般情況下,F隨嚔的變化情況相當復雜。有時為簡單起見，近似地將F表示為F=嚔x,x稱為過剩雜訊指數。F或x是雪崩光電二極體的重要參數。
由於F大於1，並隨嚔的增加而增加，因而只有當一個接收系統（包括探測器件即雪崩光電二極體、負載電阻和前置放大器）的雜訊主要由負載電阻及放大器的熱雜訊所決定時，提高雪崩增益嚔可以有效地提高系統的信噪比，從而使系統的探測性能獲得改善；相反，當系統的雜訊主要由光電流的雜訊決定時，增加嚔就不再能使系統的性能改善。這里起主要作用的是過剩雜訊因子F的大小。為獲得較小的F值，應採用兩種載流子離化能力相差大的材料，使具有較高離化能力的載流子注入到耗盡層，並合理設計器件結構。

㈣ 電子管和半導體哪個先發明

電子管和半導體相比，半導體先發明
1904年，世界上第一隻電子二級管在英國物理學家弗萊明的手下誕生了，這使愛迪生效應具有了實用價值。弗萊明也為此獲得了這項發明的專利權。
1907年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee），在二極體的燈絲和板極之間巧妙地加了一個柵板，從而發明了第一隻真空三極體．
1947年，美國物理學家肖克利、巴丁和布拉頓三人合作發明了晶體管——一種三個支點的半導體固體元件．
1833年，英國巴拉迪最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。
不久， 1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特徵。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的性質。半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的余績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

㈤ 中國第一個半導體二極體是哪一年發明的

世界上第一個半導體二極體是在1947年發明的。
中國第一個半導體二極體是在1957年研製出來的 。

㈥ 三極體、二極體是誰發明的

真空三極體的發明者是美國科學家李·德福雷斯特（Lee
de
Forest
，1873
-
1961）。1904年弗萊明在真空中加熱的電絲(燈絲)前加了一塊板極，從而發明了第一隻電子管．他把這種裝有兩個極的電子管稱為二極體．利用新發明的電子管，可以給電流整流，使電話受話器或其它記錄裝置工作起來．如今，打開一架普通的電子管收音機，我們很容易看到燈絲燒得紅紅的電子管．它是電子設備工作的心臟，是電子工業發展的起點

㈦ 半導體的發明

發現半導體已經是很早以前的事了。至於解釋為什麼有金屬、絕緣體和半導版體之分，則是在1925年布洛權赫創立能帶理論以後的事。
發明晶體管是肖克萊等三人的功勞（1947年底）。
隧道二極體是由日本人江崎於1957年在研究高摻雜時發明的。

㈧ 半導體的發展史

1、1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但法拉第發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

2、1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特性。

3、1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體的第三種特性。

4、1874年德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第四種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

5、半導體的這四個特性，雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

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最早的實用「半導體」是「電晶體（Transistor）/二極體（Diode）」。

1、在無線電收音機（Radio）及電視機（Television）中，作為「訊號放大器/整流器」用。

2、發展「太陽能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。

3、半導體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的准確度和穩定性，解析度可達0.1℃，甚至達到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300℃，是性價比極高的一種測溫元件。

4、半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它採用了帕爾貼效應.

㈨ 誰發明了二極體

1904年弗萊明在真空中加熱的電絲(燈絲)前加了一塊板極，從而發明了第一隻電子管專．他把這種裝有兩個極屬的電子管稱為二極體．利用新發明的電子管，可以給電流整流，使電話受話器或其它記錄裝置工作起來．如今，打開一架普通的電子管收音機，我們很容易看到燈絲燒得紅紅的電子管．它是電子設備工作的心臟，是電子工業發展的起點

㈩ LED發光二極體是什麼時候發明的

LED發光二極體最早出現在1962年，距今已有半個多世紀的發展史。
發光二極體（英語：Light-Emitting Diode，簡稱LED） 是一種能將電能轉化為光能的半導體電子元件。這種電子元件早在1962年出現，早期只能發出低光度的紅光，之後發展出其他單色光的版本，時至今日能發出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當的光度。而用途也由初時作為指示燈、顯示板等；隨著技術的不斷進步，發光二極體已被廣泛地應用於顯示器、電視機採光裝飾和照明。
原理
它是半導體二極體的一種，可以把電能轉化成光能。發光二極體與普通二極體一樣是由一個PN結組成，也具有單向導電性。當給發光二極體加上正向電壓後，從P區注入到N區的空穴和由N區注入到P區的電子，在PN結附近數微米內分別與N區的電子和P區的空穴復合，產生自發輻射的熒光。
分類
發光二極體還可分為普通單色發光二極體、高亮度發光二極體、超高亮度發光二極體、變色發光二極體、閃爍發光二極體、電壓控制型發光二極體、紅外發光二極體和負阻發光二極體等。