nand發明人

A. u盤是哪個國家哪個人發明的

自1998年至2000年，有很多公司聲稱自己是第一個發明了USB快閃記憶體檔。包括中國朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。但是真正獲得U盤基礎性發明專利的卻是中國朗科公司。 2002年7月，朗科公司「用於數據處理系統的快閃電子式外存儲方法及其裝置」（專利號：ZL 99 1 17225.6）獲得國家知識產權局正式授權。該專利填補了中國計算機存儲領域20年來發明專利的空白。該專利權的獲得引起了整個存儲界的極大震動.包括以色列M-Systems立即向中國國家知識產權局提出了無效復審,一度成為全球快閃記憶體領域震驚中外的專利權之爭.但是2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權的快閃記憶體檔基礎發明專利，美國專利號US6829672。這一專利權的獲得,最終結束了這場爭奪.中國朗科公司才是U盤的全球第一個發明者.美國時間2006年2月10日，朗科委託美國摩根路易斯律師向美國德克薩斯州東區聯邦法院遞交訴狀，控告美國PNY公司侵犯了朗科的美國專利(美國專利號US6829672)。2008年2月，朗科與PNY達成庭外和解。朗科向PNY簽訂專利許可協議，PNY向朗科公司繳納專利許可費用1000萬美元。這是中國企業第一次在美國本土收到巨額專利許可費用.也進一步證明了朗科是U盤的全球發明者。

現在的快閃記憶體檔都支持USB2.0標准；然而，因為NAND快閃記憶體技術上的限制，它們的讀寫速度目前還無法達到標准所支持的最高傳輸速度480Mbit/s。目前最快的快閃記憶體檔已使用了雙通道的控制器，但是比起目前世代的硬碟，或是USB2.0能提供的最大傳輸速率來說，仍然差上一截。目前最高的傳輸速率大約為20-40MB/s，而一般的文件傳輸速度大約為10MB/s。較舊型的「fullspeed」12Mbit/s設備傳輸速率最大約只有1MB/s。其中業界的佼佼者有深圳朗科公司,M-Systems公司,新加坡Trek公司

B. 快閃記憶體是誰發明的

快閃記憶體的發展歷史 在1984年，東芝公司的發明人Fujio Masuoka 首先提出了快速快閃記憶體存儲器(此處簡稱快閃記憶體)的概念。與傳統電腦內存不同，快閃記憶體的特點是非易失性(也就是所存儲的數據在主機掉電後不會丟失)，其記錄速度也非常快。 Intel是世界上第一個生產快閃記憶體並將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256K bit快閃記憶體晶元。它如同鞋盒一樣大小，並被內嵌於一個錄音機里。後來，Intel發明的這類快閃記憶體被統稱為NOR快閃記憶體。它結合EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)兩項技術，並擁有一個SRAM介面。 第二種快閃記憶體稱為NAND快閃記憶體。它由日立公司於1989年研製，並被認為是NOR快閃記憶體的理想替代者。NAND快閃記憶體的寫周期比NOR快閃記憶體短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。NAND的存儲單元只有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND 獲得了更好的性能。鑒於NAND出色的表現，它常常被應用於諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。 查看原帖>>

C. U盤是哪個國家發明的是什麼人發明的這個人叫什麼這個發明的專利號是多少

U盤是中國朗科公司發明的，這個發明的專利號是ZL 99 1 17225.6，美國專利號US6829672。

自1998年至2000年，有很多公司聲稱自己是第一個發明了USB快閃記憶體檔。包括中國朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。

但是真正獲得U盤基礎性發明專利的卻是中國朗科公司。2002年7月，朗科公司「用於數據處理系統的快閃電子式外存儲方法及其裝置」（專利號：ZL 99 1 17225.6）獲得國家知識產權局正式授權。

該專利填補了中國計算機存儲領域20年來發明專利的空白。該專利權的獲得引起了整個存儲界的極大震動。包括以色列M-Systems立即向中國國家知識產權局提出了無效復審，一度成為全球快閃記憶體領域震驚中外的專利權之爭。

但是2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權的快閃記憶體檔基礎發明專利，美國專利號US6829672。這一專利權的獲得，最終結束了這場爭奪。中國朗科公司才是U盤的全球第一個發明者。

(3)nand發明人擴展閱讀：

U盤的組成很簡單，主要由外殼+機芯組成，其中：

1、機芯：機芯包括一塊PCB+USB主控晶元+晶振+貼片電阻、電容+USB介面+貼片LED（不是所有的U盤都有）+FLASH（快閃記憶體）晶元；

2、外殼：按材料分類，有ABS塑料、竹木、金屬、皮套、硅膠、PVC軟體等；按風格分類，有卡片、筆型、迷你、卡通、商務、模擬等；按功能分類，有加密、殺毒、防水、智能等；

3、對一些特殊外形的PVCU盤，有時會專門製作特定配套的外包裝。

D. NAND快閃記憶體是由誰發明的又是誰最先生產的

東芝發明的。

E. 內存卡是以色列人發明的嗎

快閃記憶體檔發明人——深圳市朗科科技有限公司 這個是U盤.....USB是在1994年底由英特爾、康柏、IBM、Microsoft等多家公司聯合提出的 98年開始有雛形的，02年浪科申請了專利 桀岡富士雄：快閃記憶體發明者。在任東芝公司生產線中層管理人員時，即一心要發明能象軟磁碟那樣可插取、具有「磁帶」存儲功能的存儲器。鑒於桀岡的業績，東芝擬提拔他擔任公司最高技術職務，但桀岡拒絕接受，並於1994年出任東北大學電氣通信研究所教授，進一步研究快閃記憶體技術。2002年，桀岡作為「快閃記憶體之父」入選世界知名商業雜志《福布斯》國際版封面人物。快閃記憶體是目前世界上被廣泛用於數碼相機、手機、汽車、洗衣機等電器的必要存儲裝置 桀岡稱，他在東芝就職期間，分別於1980年和1987年成功發明用於個人電腦等電器內的「NOR型」和作為Compact Flash外部存儲裝置用於數碼相機等電器的「NAND型」兩種快閃記憶體半導體。東芝從桀岡的發明中大獲收益，僅在日本國內即獲41件專利 這個是快閃記憶體卡

F. 內存卡是誰發明的

桀岡富士雄。

桀岡富士雄：英文名Fujio Masuoka，出生於1943年，日本人，快閃記憶體的發明者。在任東芝公司生產線中層管理人員時，即一心要發明能象軟磁碟那樣可插取、具有「磁帶」存儲功能的存儲器。

桀岡富士雄於1971年加入東芝公司。大約在1984年，桀岡富士雄發明了一種獨特的存儲器件，鑒於桀岡的業績，東芝擬提拔他擔任公司最高技術職務，但桀岡拒絕接受，並於1994年出任東北大學電氣通信研究所教授，進一步研究快閃記憶體技術。2002年，桀岡作為「快閃記憶體之父」入選世界知名商業雜志《福布斯》國際版封面人物。

(6)nand發明人擴展閱讀：

桀岡富士雄發明的快閃記憶體是世界上被廣泛用於數碼相機、手機、汽車、洗衣機等電器的必要存儲裝置。具有隻讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)和電可擦除的優點，讀存儲器(EEPROM)器件的理想特徵。

與RAM和EEPROM一樣，可以對這些新穎的器件或同類的ROM進行寫、擦除和重寫數據的操作，器件能將可恢復的靜態數據保存幾乎無限長時間。此外，與RAM和ROM相比，桀岡富士雄的存儲器容量容易提高。與ROM和EEPROM相比，該晶元能長時期存儲數據，不需要備份電池或外部電源。

G. 快閃記憶體的發展過程

在1984年，東芝公司的發明人舛岡富士雄首先提出了快速快閃記憶體存儲器（此處簡稱快閃記憶體）的概念。與傳統電腦內存不同，快閃記憶體的特點是非易失性（也就是所存儲的數據在主機掉電後不會丟失），其記錄速度也非常快。
Intel是世界上第一個生產快閃記憶體並將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256K bit快閃記憶體晶元。它如同鞋盒一樣大小，並被內嵌於一個錄音機里。後來，Intel發明的這類快閃記憶體被統稱為NOR快閃記憶體。它結合EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）兩項技術，並擁有一個SRAM介面。
第二種快閃記憶體稱為NAND快閃記憶體。它由日立公司於1989年研製，並被認為是NOR快閃記憶體的理想替代者。NAND快閃記憶體的寫周期比NOR快閃記憶體短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。NAND的存儲單元只有NOR的一半，在更小的存儲空間中NAND獲得了更好的性能。鑒於NAND出色的表現，它常常被應用於諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲卡上。 快閃記憶體市場仍屬於群雄爭霸的未成熟時期。三星、日立、Spansion和Intel是這個市場的四大生產商。
由於戰略上的一些錯誤，Intel在第一次讓出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。
AMD快閃記憶體業務部門Spansion同時生產NAND和NOR快閃記憶體。它上半年的NOR快閃記憶體產量幾乎與Intel持平，成為NOR快閃記憶體的最大製造商。該公司在上半年贏利為13億美元，幾乎是它整個公司利潤額（25億美元）的一半以上。
總體而言，Intel和AMD在上半年成績喜人，但三星和日立卻遭受挫折。
據市場調研公司iSuppli所做的估計，全球的快閃記憶體收益將達到166億美元，比2003年（116.4億美元）上漲46%。消息者對數碼相機、USB sticks和壓縮式MP3播放器內存的需求將極大推動快閃記憶體的銷售。據預測，2005年快閃記憶體的銷售額將達到175億美元。不過，iSuppli估計，2005年至2008年快閃記憶體的利潤增漲將有所回落，最高將達224億美元。 與許多壽命短小的信息技術相比，快閃記憶體以其16年的發展歷程，充分顯示了其「老前輩」的作風。九十年代初，快閃記憶體才初入市場；至2000年，利益額已突破十億美元。英飛凌科技快閃記憶體部門主任，彼得曾說：「就快閃記憶體的生命周期而言，我們仍處於一個上升的階段。」英飛凌相信，快閃記憶體的銷售仍具有上升空間，並在醞釀加入對該市場的投入。英飛凌宣布，其位於德累斯頓的200毫米DRAM工廠已經開始生產512Mb NAND兼容快閃記憶體晶元。到2004年底，英飛凌公司計劃採用170納米製造工藝，每月製造超過10,000片晶圓。而2007年，該公司更希望在NAND市場成為前三甲。
此外，Intel技術與製造集團副總載Stefan Lai認為，在2008年之前，快閃記憶體將不可替代。2006年，Intel將首先採用65納米技術；到2008年，正在研發的新一代45納米技術將有望投放市場。Stefan Lai覺得，預測仍然比較淺顯，或許32納米、22納米技術完全有可能實現。但Stefan Lai也承認，2008年至2010年，新的技術可能會取而代之。
盡管對快閃記憶體替代品的討論越來越激勵，快閃記憶體仍然受到市場的重視。未來的替代品不僅必須是類似快閃記憶體一樣的非易失性存儲器，而且在速度和寫周期上略勝一籌。此外，生產成本也應該相對低廉。由於製造技術還不成熟，新的替代品不會對快閃記憶體構成絕對的威脅。下面就讓我們來認識一下幾種能的替代產品：

H. U盤是誰發明的他是哪個國家的人

U盤的發明者系中山大學本科畢業 朗科公司總裁、留學歸國人員鄧國順。中國人。

I. u盤是誰發明的

自1998年至2000年，有很多公司聲稱自己是第一個發明了USB快閃記憶體檔。包括中國朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。但是真正獲得U盤基礎性發明專利的卻是中國朗科公司。 2002年7月，朗科公司「用於數據處理系統的快閃電子式外存儲方法及其裝置」（專利號：ZL 99 1 17225.6）獲得國家知識產權局正式授權。該專利填補了中國計算機存儲領域20年來發明專利的空白。該專利權的獲得引起了整個存儲界的極大震動。包括以色列M-Systems立即向中國國家知識產權局提出了無效復審,一度成為全球快閃記憶體領域震驚中外的專利權之爭。但是2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權的快閃記憶體檔基礎發明專利，美國專利號US6829672。這一專利權的獲得，最終結束了這場爭奪。.中國朗科公司才是U盤的全球第一個發明者。美國時間2006年2月10日，朗科委託美國摩根路易斯律師向美國德克薩斯州東區聯邦法院遞交訴狀，控告美國PNY公司侵犯了朗科的美國專利(美國專利號US6829672)。2008年2月，朗科與PNY達成庭外和解。朗科向PNY簽訂專利許可協議，PNY向朗科公司繳納專利許可費用1000萬美元。這是中國企業第一次在美國本土收到巨額專利許可費用.也進一步證明了朗科是U盤的全球發明者。
現在的快閃記憶體檔都支持USB2.0標准；然而，因為NAND快閃記憶體技術上的限制，它們的讀寫速度目前還無法達到標准所支持的最高傳輸速度480Mbit/s。目前最快的快閃記憶體檔已使用了雙通道的控制器，但是比起目前時代的硬碟，或是USB2.0能提供的最大傳輸速率來說，仍然差上一截。目前最高的傳輸速率大約為20-40MB/s，而一般的文件傳輸速度大約為10MB/s。較舊型的12Mbit/s設備傳輸速率最大約只有1MB/s。其中業界的佼佼者有深圳朗科公司,M-Systems公司,新加坡Trek公司。