絕緣柵場效應管的發明

❶ 絕緣柵型場效應管 中的 「柵」 字念什麼呀

shan
柵極
shānjí
〖grid〗由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極,插在電子管另外兩個電極之間,起控制板極電流強度、改變電子管性能的作用

❷ 絕緣柵型場效應管為什麼會產生電場

你好，
受靜電力F跟它的電荷量比值，定義式E=F/q ，適用於一切電場；其中F為電場對試探電荷的作用力，q為試探電荷的電荷量。單位N/C。 定量的實驗證明，在電場的同一點，電場力的大小與試探電荷的電荷量的比值是恆定的，跟試探電荷的電荷量無關。它只與產生電場的電荷及試探電荷在電場中的具體位置有關，即比值反映電場自身的特性（此處用了比值定義法），因此我們用這一比值來表示電場強度，簡稱場強，通常用E表示。

方向
電場中某點的場強方向規定為放在該點的正電荷受到的靜電力方向

❸ 絕緣柵型場效應管原理

絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前應用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管。它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗（可達1012Ω以上），並且製造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利於高度集成化。

工作原理：

圖2中襯底為P型半導體，在它的上面是一層SiO2薄膜、在SiO2薄膜上蓋一層金屬鋁，如果在金屬鋁層和半導體之間加電壓UGS，則金屬鋁與半導體之間產生一個垂直於半導體表面的電場，在這一電場作用下，P型硅表面的多數載流子-空穴受到排斥，使矽片表面產生一層缺乏載流子的薄層。同時在電場作用下，P型半導體中的少數載流子-電子被吸引到半導體的表面，並被空穴所俘獲而形成負離子，組成不可移動的空間電荷層（稱耗盡層又叫受主離子層）。UGS愈大，電場排斥硅表面層中的空穴愈多，則耗盡層愈寬，且UGS愈大，電場愈強；當UGS增大到某一柵源電壓值VT（叫臨界電壓或開啟電壓）時，則電場在排斥半導體表面層的多數載流子-空穴形成耗盡層之後，就會吸引少數載流子-電子，繼而在表面層內形成電子的積累，從而使原來為空穴佔多數的P型半導體表面形成了N型薄層。由於與P型襯底的導電類型相反，故稱為反型層。在反型層下才是負離子組成的耗盡層。這一N型電子層，把原來被PN結高阻層隔開的源區和漏區連接起來，形成導電溝道。

主要參數：

Idss—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。

Up—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。

Ut—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。

gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數。

BVDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小於BVDS.

PDSM—最大耗散功率。是一項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小於PDSM並留有一定餘量。

IDSM—最大漏源電流。是一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM。

❹ MOS管是誰發明的！

MOS管是誰發明無法考證。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓Mos管。

❺ 如何判斷分結型場效應管，絕緣柵型場效應管

場效應管分結型場效應管、絕緣柵型場效應管兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（IGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。由於絕緣柵型的柵極為金屬鋁，所以又稱為MOS管。絕緣柵型又可分為增強型和耗盡型，其中耗盡型是添加了離子的。
結型場管腳識別
1.場效應管的柵極相當於晶體管的基極，源極和漏極分別對應於晶體管的發射極和集電極。
2.將萬用表置於R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），餘下的一個管腳即為柵極G.對於有4個管腳的結型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。
3.判定柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻，該管屬於N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。製造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，並不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。
4.注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。

❻ 絕緣柵場效應管

所謂絕緣柵是指這種晶體管的柵極與受控溝道之間隔著一層二氧化硅，具有極高的輸入阻抗近乎絕緣，相比結型場效應管而言輸入阻抗更高，更能體現電壓控制器件的優勢特性，從應用來看結型場效應管多應用於小信號、弱電流場合比如前置放大器、恆流源等等，絕緣柵場效應管則多用於大功率、強電流驅動場合，目前廣泛用於工控、電力電子等領域。

❼ 絕緣柵型場效應管的介紹

絕緣柵型場效應管IGFETInsulated Gate Field Effect Transister也稱金屬氧化物半導體三極體（Metal Oxide Semiconctor FET,簡寫為MOSFET），通常說的MOS管就是指絕緣柵型場效應管。

❽ 絕緣柵場效應管的介紹

絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前應用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管。它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗（可達1012Ω以上），並且製造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利於高度集成化。

❾ 場效應管是誰發明的

場效晶體管（場效應晶體管)是一種用電場效應來控制電流的電子器件。場效應晶體管是一種三極體，包括源極、柵極和漏極。場效應晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導率。
場效應晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。即，場效應晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。現已有許多不同類型的場效應晶體管。場效應晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。

場效應晶體管既可以作為多數載流子器件（由多子導電），又可以作為少數載流子器件（由少子導電）。[3]該器件由電荷載流子（電子或空穴）從源極流到漏極的有源溝道組成。源極導體和漏極導體通過歐姆接觸聯結。溝道的電導率是柵源電壓的函數。
場效應晶體管的三個電極包括:[4]
源極(S)，載流子經過源極進入溝道。通常，在源極處進入通道的電流由IS表示。
漏極(D)，載流子通過漏極離開溝道。通常，在漏極處進入通道的電流由ID表示。漏極與源極之間的電壓由VDS表示。
柵極(G)，調制溝道電導率的電極。通過向柵極施加電壓，可以控制ID。

所有場效應晶體管都有源極、漏極和柵極，大致對應於雙極型半導體三極體的發射極、基極和集電極。大多數場效應晶體管都有第四個電極，稱為主體電極、集電極、基底或襯底。該第四端子用於使晶體管偏置工作；在電路設計中異常使用主體電極是很少見的，但是當設置集成電路的物理布局時，主體電極是很重要的。柵極的大小（右圖中的長度L）為源極和漏極之間的距離。其寬度為晶體管在垂直於圖中橫截面的方向上的延伸(即進入/離開屏幕)。通常，寬度比柵極的長度大得多。1μm柵極長將上限頻率限制在大約5千兆赫，0.2μm柵極長則將上限頻率限制在大約3萬兆赫左右。