finfetfdsoi發明人

㈠ 蘋果a9處理器14nm和16nm哪個好

看不少人都糾結蘋果iPhone6s/iPhone6s Plus分別由三星和台積電生產的14nm和16nm工藝的CPU，其實大可不必。我就簡單講講我的認識，拋磚引玉。首先大家都認為尺寸越小性能越好，越省電。這個認識在跨代的工藝上是成立的，但是在同一代的工藝上就未必了。14nm和16nm其實是同一代工藝。那為什麼同一代工藝會有不同名稱呢？
這個其實更多的是一個商業競爭策略的問題。最早的時候，大家都是遵循摩爾定律，每一代差0.7倍。所以大家都是從0.25 -> 0.13 -> 90nm -> 65nm -> 45nm這么一路下來的。但是呢，TSMC（台積電，簡稱T）在45nm的時候搞了個妖蛾子的40nm。明面上是說老子工藝牛，相同的性能，但是能夠更小的面積，兩個字省錢。

實際上呢，一旦你按照T的40nm工藝設計了晶元，就不可能輕易轉到其它工廠的45nm工藝上，因為設計規則差距比較大。這就打亂了其它代工廠的研發腳步。同樣的就是28nm，其實就是32nm乘上0.9。

那麼尺寸真的有差距么？舉個例子，有家代工廠有32nm和28nm兩個工藝，照理柵極一個應該是32nm一個應該是28nm，但是呢他們家的28nm的設計規則上寫明28nm工藝的真正柵極是在32nm的基礎上乘以0.9再加上3nm，所以還是32nm。

再舉個例子，ST搞了個22FDSOI，其實柵極的長度是28nm，只是說通過FDSOI，可以實現和22nm器件相似的性能。因此，14nm和16nm的晶元，從技術上來說，做device的完全可以把器件性能調到一樣。

其次從設計的角度，如果晶元構架一樣，那麼性能的差距就主要通過頻率來體現。所以只要T和棒子的晶元頻率一樣，那麼性能就應該一樣。另一方面，考慮到6s+的大屏幕，我覺得T的晶元性能至少是不弱於棒子的。有人糾結是不是14nm的性能相同的情況下漏電少，所以要用在電池容量小的6s上。

我不這樣認為，如果14nm那麼好，為什麼6s+上不用呢？不是更應該用么？要知道T的東西可不便宜。退一萬步講，就算14nm的晶元更省電，只要蘋果不讓你超頻，你還是享受不了更高的性能。其實晶元的漏電和屏幕的耗電比起來還是小頭，真正制約手機晶元漏電的是散熱。QTI的810被人主要詬病的就是發熱。

有人覺得棒子的14nm量產早，肯定性能更好。其實不是這樣的。三星這兩代工藝的研發我都有了解，我可以說三星是通過犧牲整個20nm工藝做到的。T為什麼投產16nm晚？因為T最先研發完成20nm，既然交了學費就要賺回來。全世界20nm工藝就T一家，結果就是產能被占滿，連QTI這樣的大公司都拿不到產能。

所以T一來根本沒有足夠的設備去研發和轉產16nm；二來按正常節奏也不需要那麼早投產14/16nm，不乘機賺個盆滿缽滿怎麼行？而三星的20nm研發其實是延期的（對半導體業界來說就是失敗了），所以丟掉了蘋果的所有訂單。三星的做法就是放棄20nm，直接上14nm，這意味著幾十億美金打水漂。T為了不被拉下，他的16nm其實是20nm FinFET化，趕鴨子上架，而16nm+才是真正成熟的工藝，就像三星的LPE和LPP。

其實從工藝技術和管理能力上來講，T都是最強的，連intel都不敢說強過他。誠然intel技術領先，但要知道intel基本只給自己生產晶元，這意味著如果他工藝上什麼問題搞不定可以通過設計補，而且產品數量也不多。

T就不同了，雖然也可以讓設計公司改，但代工廠畢竟不如自己的工廠強勢，而且T的產品數量要多得多，更考驗管理。三星在工藝方面，純粹particle的管控是不輸於T的，畢竟都是東方人，比較適應軍事化管理。三星的弱點在於PDK，也就是device，所以需要設計公司比較多的協助，因此你看三星基本沒有幾個客戶，就幾個大公司。

回過頭來講講蘋果為啥會讓兩家同時供貨。對於任何企業來說，單一供貨商都是十分危險，容易被掐脖子，同時不容易壓低成本。其實蘋果在歐美企業里更像台企（在蘋果工作的同學們自己說的）。只要性能滿足要求，就盡量壓低成本。

T的價格是非常貴的，在整個半導體代工業只有5%的利潤的現在，T維持著20%的利潤。據我所知，三星為了搶單，幾乎是貼著成本在賣，價格只有T的七成。所以無論是出於平衡供應商，還是壓價的角度，蘋果就很正常地選擇了兩家一起上。

最後，我在去年底退出三星項目的時候，當時的情況是三星的器件性能還弱於T，但是已經有yield了。不過對於三星和T這種級別的公司來說，有yield不是問題，device的調校才是難點。

其實14nm或者16nm都是對20nm的巨大飛躍，所以我寧可用龜速的iPhone4熬一年也不買6而等6s。而這兩者之間的差距，相比而言，可以說很小了，作為三星14納米工藝的前任總負責人，我可以放心的告訴大家，三星的14納米工藝真正的性能其實還沒有台積電的16納米好，不過蘋果既然退出了2個版本，就必然會對其優化，大家不必擔心性能上的差別。

㈡ 為什麼說7nm是半導體工藝的極限，但現在又被突破了

7nm不是工藝極限，而是物理極限。要做個小於7nm的器件並不難，大不了用ebeam lith。但是Si晶體管小於7nm，隔不了幾層原子，遂穿導致漏電問題就無法忽略，做出來也沒法用。

晶元上集成了太多太多的晶體管，晶體管的柵極控制著電流能不能從源極流向漏極，晶體管的源極和漏極之間基於硅元素連接。隨著晶體管的尺寸逐步縮小，源極和漏極之間的溝道也會隨之縮短，當溝道縮短到一定程度時，量子隧穿效應就會變得更加容易。

晶體管便失去了開關的作用，邏輯電路也就不復存在了。2016年的時候，有媒體在網路上發布一篇文章稱，「廠商在採用現有硅材料晶元的情況下，晶體管的柵長一旦低於7nm、晶體管中的電子就很容易產生量子隧穿效應，這會給晶元製造商帶來巨大的挑戰」。所以，7nm工藝很可能，而非一定是硅晶元工藝的物理極限。

現在半導體工業上肯定是優先修改結構，但是理論上60mV/decade這個極限是目前半導體無法越過的。真正的下一代半導體肯定和現在的半導體有著完全不同的工作原理，無論是TFET還是MIFET或者是別的什麼原理，肯定會取代目前的半導體原理。

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難點以及所存在的問題

半導體製冷技術的難點半導體製冷的過程中會涉及到很多的參數，任何一個參數對冷卻效果都會產生影響。實驗室研究中，由於難以滿足規定的雜訊，就需要對實驗室環境進行研究。半導體製冷技術是基於粒子效應的製冷技術，具有可逆性。所以，在製冷技術的應用過程中，冷熱端就會產生很大的溫差，對製冷效果必然會產生。

其一，半導體材料的優質系數不能夠根據需要得到進一 步的提升，這就必然會對半導體製冷技術的應用造成影響。

其二，對冷端散熱系統和熱端散熱系統進行優化設計，依然處於理論階段，沒有在應用中更好地發揮作用，這就導致半導體製冷技術不能夠根據應用需要予以提升。

其三，半導體製冷技術對於其他領域以及相關領域的應用存在局限性，所以，半導體製冷技術使用很少，對於半導體製冷技術的研究沒有從應用的角度出發，就難以在技術上擴展。

其四，市場經濟環境中，科學技術的發展，半導體製冷技術要獲得發展，需要考慮多方面的問題。重視半導體製冷技術的應用，還要考慮各種影響因素，使得該技術更好地發揮作用。

㈢ 計算機晶元小型化的極限是什麼

該行業目前正盯著一個艱難的極限。

現代，最先進的CPU利用稱為FinFET的MOSFET設計。一旦將晶體管一側與另一側分隔開的溝道達到2nm的長度，FinFET將無法再阻止電子隧穿，即它們將不再關閉。

我需要澄清的是，當我們談論CPU時，去FinFET時，尺寸測量失敗了，現在的市場營銷要比物理營銷更多。我指的是2nm是晶體管兩側（「源極」和「漏極」）之間的硬，物理，最小測量值，而不是某人的營銷團隊想要稱呼其工藝的東西。

最近的時間表：

2018年-蘋果發布了首款7nm消費級處理器（TSMC），AMD隨後也效仿（TSMC），英特爾則採用14nm。三星首次亮相7nm。

2019年-三星和台積電都開始提供5nm。台積電對Apple 5nm處理器進行采樣。

2020年-蘋果發布了首款5nm消費級處理器（TSMC），AMD預計很快就會推出。英特爾開始正式發售預計在2021年之前生產的10nm台式機10nm處理器。

㈣ 假如現在晶元是22nm我們的手機會怎麼樣

晶元功能不夠強大

㈤ 硅基晶元物理極限是七納米，為何台積電卻依然能做出五納米的晶元

其實在各種晶元領域，所謂的物理極限都只是當時人們技術水平不夠所導致的理論極限，就比如在若干年之前，當時研究硅基晶元的人難道會想到現在的硅基晶元能做成這樣嗎？時代是在進步的，人類的科技水平每日都在更新，硅基晶元的物理極限被不斷被突破是一個非常正常的現象。

隨著人類的工藝進程不斷突破物理上的極限，人類的製造工藝也會達到一個又一個新的標准，不想被時代拋棄的話，只能不斷的自我進步，晶元絕對是世界上一個經久不衰的領域，這個領域的突破是可以直接代表了人類在科技水平上的突破。

㈥ 多少年了，終於明白了FinFET與FD-SOI製程

有的時候一直認為弄不懂的事情，

有一天，就可能會豁然開朗。

所以這件事提醒我們，

做任何事情都不要過度糾結，

過度糾結不是解決問題的辦法，

眼界放開，也可能真的會看到另一片天地。

㈦ 華為p9揚聲器怎麼設置

上周，華為在倫敦發布今年的全新旗艦：華為P9。最近幾年國內手機圈大熱，各家廠商爭的頭破血流。但像華為這樣真正的走出國門，每年都面向國際范圍發布旗艦產品的廠商，華為是第一家。今年，華為宣布與徠卡合作推出搭載雙攝像頭的華為P9，徠卡的名氣不容小覷，此次的合作無疑又讓華為的國際化腳步更近了一部。 余承東曾表示：和徠卡合作太貴了。藉此來解釋華為P9為何售價提升，但對於大眾消費者來說，華為和徠卡的合作到底能給P9的成像帶來怎樣的改變，為徠卡而多花的一部分錢到底值不值才是我們真正關心的問題。今天的文章，筆者為大家帶來了華為P9的詳細評測，一年一更新的P系列表現如何，我們一起來看。 外觀 華為P9此次可以說在整體上延續了一年前P8的設計語言，線條簡潔優雅，但是在工業設計以及做工上卻再度提升到了新的高度。全新的工藝讓P9在與環境光的交互中能為我們帶來不同的視覺觀感，而不同配色所採用的不同處理技術也體現了該機的精雕細琢並為用戶帶來了更多的選擇。 華為P9採用了一塊5.2英寸的1080p解析度IPS屏幕，色彩飽和度高達96%，在保證了逼真視覺效果的同時，配以一塊2.5D弧面玻璃並在其和中框的連接處加入了一層包邊，讓整機屏幕與邊框的過渡更為自然與順滑，外觀和手感都有所提升。 正面除了屏幕外，整個面板採用了CD紋路效果，看起來頗有黑膠唱片的韻味，提升了手機整體的視覺效果以及辨識度，使P9相比以前的機型更加具有格調。此外，官方號稱前置的800萬像素的攝像頭在低光環境下也能表現如常。 至於正面下方，筆者個人認為既然已經採用了虛擬按鍵設計，下方承載了「HUAWEI」Logo的面板就顯得過於寬大了，如果能夠在此方面有所縮減，才能更好地提升該機在屏佔比方面的競爭力。 P9的背部線條簡潔優雅，沿襲了P系列特有的設計風格，但在簡約、方正的同時又不失圓潤的觸感，讓人對該機的握持感更為記憶深刻。機身採用航空級鋁合金材質。此外，背部不論是頂部的玻璃貼片還是機身上的納米注塑天線與機身銜接的非常順滑，能夠體現出華為在手機製造細節之處的強大品控能力。 作為全球首款與徠卡合作開發雙攝像頭的手機，P9採用了兩顆與徠卡共同研發的1200萬像素攝像頭，單個像素尺寸1.25μm，光圈值F/2.2，並且華為還引入了徠卡精益求精的工藝態度，將6片鏡片厚度控制在了4.5mm。此外，攝像頭還擁有雙色溫閃光燈及激光對焦模塊作為輔助，激光、反差、深度三合一的混合對焦方式也令該機在對焦速度方面獨領風騷。而攝像頭下方則是配備了新一代技術的按壓指紋識別模塊。 攝像頭外部，華為P9使用了與之前Nexus 6P類似的玻璃裝飾條，但是相比6P，華為P9的裝飾條不僅幫助了保證了信號強度，還充當了雙攝像頭最外層的保護玻璃，使P9能夠在擁有輕薄機身的情況下還能滿足攝像頭不突出於機身。水滴造型的玻璃也為該機的背部增添了一絲靈動。 值得一提的是，筆者手中的金色標准版P9機身和邊框同樣採用了金屬噴砂工藝，而高配版則採用的是陽極氧化技術並加入了雕刻紋理工藝，此外，奪人眼球的陶瓷白版本則使用了5層鍍層工藝的金屬陶瓷效果。 P9的上下邊框設計的設計反差較大，頂部僅擁有降噪麥克風，底部卻集中了揚聲器、USB Type-C介面、麥克風以及耳機介面。雖然耳機孔比較小眾的設計在了手機底部，但對於其設計的位置大家可能各有喜好，在此筆者不多做評述。 邊框方面，P9的電源鍵與音量鍵均處於機身右側，按鍵做工精良、鍵感適中、反饋力度也較為恰當，並且沒有任何晃動的情況。其中標准版與高配版的電源按鍵採用了紋理處理，有效減少了誤操作的可能，而陶瓷白版本的電源鍵則是使用了紅圈裝飾代替紋路，某種意義上來講則更像是高貴身份的象徵。 華為P9的機身左側擁有一個與或卡托，支持兩張nano-SIM卡或一張nano-SIM卡一張TF擴展卡，兩個卡槽均支持全網通網路制式。並且擁有虛擬三天線技術以及Wi-Fi+2.0技術的加持，相信P9依舊能夠完美的發揮華為在手機信號處理方面的優勢。 總的來說，初次接觸華為P9會覺得在外觀設計上該機相比前代產品並沒有什麼太大的區別，但隨著不斷深入了解到該機的細節，我們可以發現P9著實是華為在工業設計提升道路上的又一力作。不論是經過精心處理的天線帶還是背部圓潤的保護玻璃，抑或是不同顏色版本的不同處理工藝，無不證明著華為此次在P9細節之處的用心雕琢。相信在同價位的手機中，華為P9單就外觀設計一項，都會擁有不小的優勢。 系統 系統方面華為P9運行基於Android6.0深度定製的EMUI，相對於MIUI和Flyme等面向大眾的系統風格來說，EMUI則顯得要沉穩持重一些。盡管華為此前曾經表示：更希望吸引一些女性用戶，但從華為P9來看，它仍然充滿著濃濃的商務風。 P9的預裝主題為金色調，圓角矩形的圖標算不上個性但也非常耐看。通知欄採用了毛玻璃的效果，通知和開關分開設置，與MIUI的操作邏輯一致。系統內嵌了閱讀，運動健康，手機管家等應用，在功能性和易用性上很完備，比較容易上手。 因為在界面上EMUI 4.1相比EMUI4.0基本沒有變化，因此在這里也就不贅述了。當然功能性方面EMUI4.1還是增加了一些比較實用的小功能，下面我們著重來看一下這些小改變。 ●訪客模式 生活中有人借用手機是常見的一個場景，但手機內的一些內容不想被人看到怎麼辦？MEUI加入了訪客模式，在設置——用戶中可以選擇添加訪客，切換訪客模式之後，手機內的照片，所安裝的應用等會全部消失，每個訪客所存儲的內容和安裝的應用會單獨存在。這樣與別人共享一款手機時，可以更好的保護自己的隱私，而借用手機的人更完全不用在意這些。 ●學生模式 EMUI4.1中加入了學生模式，這顯然是為了身為父母的人准備的。在設置——高級設置中可以選擇打開。在學生模式下，能夠限制孩子使用一些應用，同時還可以設置每天可以使用這些應用的時間，孩子將無法獨立安裝應用。在學生模式下手機瀏覽器會自動屏蔽不健康網路。這不僅最大限度的讓孩子不會因為過度玩手機而荒廢學業，也讓家長無需擔心孩子接觸到網路中的不健康內容。 除此之外，EMUI中還加入了WIFI熱點自動登錄功能和運動數據低功耗監控功能等等。總的來說EMIUI4.1隻是一個小版本的迭代，像學生模式和訪客模式這些小功能在其他諸多的國產定製ROM中早已經有所呈現，雖然算不上創新，但這些功能的加入讓EMUI 4.1更加完善，也在一些細分的場景中顯得更加人性化。 拍照 作為全球首款與徠卡合作開發的雙攝像頭手機，華為搭載了來自徠卡的1200萬像素雙攝像頭，兩顆鏡頭模組從索尼定製而來，為了一款機型專為定製鏡頭模組，也足見華為對於P9的重視程度。徠卡提供的這兩顆攝像頭叫做SUMMARTIT H，H是華為的意思。SUMMARTIT在徠卡相機中也是較高端的系列。 華為P9的攝像頭附近有「LEICA」的字樣，但並未在機身上看到徠卡經典的可樂標，也算是一種遺憾。不過無論如何，徠卡的名稱更像是一種身份的存在，不看拍照，僅僅一種名稱，就足以給人一種眼前一亮的感覺。不過據悉徠卡對於鏡頭的設計標准和精度要求都及其嚴格，因此相信在徠卡加持下的華為P9應該有著出色的表現。 華為P9的相機功能非常豐富，在拍照界面向右滑動為拍照模式的切換，包括黑白相機，美膚拍照等等，向左滑動為一些相機設置，在這里可以調節色彩模式等，色彩模式分為標准，鮮艷，柔和三種。拍照界面通過從快門上方向上滑動可以切換專業拍照模式參數，總的來說相機的可玩性很高。 下面我們就拋卻徠卡的光環，一起來看一下華為P9實實在在的成像表現。三星Galaxy S7 edge是今年Android陣營中成像表現十分出色的一款，大多數媒體都認為S7 edge的成像更優於iPhone，那麼華為P9相比於它又如何呢，下面我們通過對比樣張來看一下。 ●解析力對比 首先是這張俯視的樣張，畫面較為雜亂，我們通過這張樣張來對比一下華為P9和三星S7 edge的解析力表現。 ▲華為P9拍攝 ▲三星Galaxy S7 edge拍攝 華為P9採用黑白彩色融合技術，黑白的攝像頭因為沒有濾光片的緣故，進光量是彩色鏡頭的三倍，因此理論上，華為P9的進光量更大，畫面會較為明亮。通過樣張能夠發現，雖然三星Galaxy S7 edge的主攝像頭同樣為1200萬像素，但照片中「賓館」兩字的細節仍然是S7 edge所拍照片更加豐富，同時畫面的整體觀感也更加透亮。 ●白平衡對比 在這張對比樣張中，華為P9和S7 edge的發色傾向基本一致，但對於地面的還原中，華為P9更接近於真實的使用場景，而三星S7 edge似乎進行了一些白平衡修正，我們從最左邊的車就能看出來。S7 edge所拍攝的白色的車表面看起來非常白，但其實在陽光下肉眼可見的車確實如華為P9所呈現的那樣是米黃色的。 ●發色傾向對比 我們知道，徠卡有著自己獨特的拍照風格，自成一派，油畫一般的表現風格也備受攝影愛好者的喜愛，那麼我們就通過這張圖片來看一下它們二者對於色彩的表現力。通過樣張我們發現，華為P9和三星S7 edge對於綠色的還原基本一致，畫面的細節表現力也都十分出色，沒有過於明顯的差異。 ●大光圈效果對比 ▲華為P9拍攝 ▲三星Galaxy S7 edge拍攝 華為P9支持F0.95-F16的光圈調節，而三星Galaxy S7 edge則最大支持F1.7光圈，我們將華為P9的光圈調至最大，與S7 edge作比較，發現大光圈下確實實現了更好的背景虛化效果，但因為華為P9的鏡頭光圈本身為F2.2，因此從F0.95-F16的光圈調節范圍均為軟體模擬的，樣張中前面的花朵已經有部分顯得不清晰。生活中大光圈能夠幫助我們更好的拍出一張特點突出的照片，但使用中還是需要根據景物的不同進行相應的調節。 通過與三星Galaxy S7 edge的對比，可以發現華為P9的成像素質與三星 S7 edge相當，但因為這里沒有進行所有場景的比較，暫時我們也只發現華為P9在解析力方面相比三星S7 edge稍有不足，但S7 edge本身幾乎代表了手機拍照的最高水平，因此P9有這樣的成像效果也還是非常令人滿意的。 下面我們再來看一些華為P9的樣張。 光圈：F2.2 ; 曝光時間1/1030秒 ; ISO-50 光圈：F4 ; 曝光時間：1/1138秒 ; ISO-50 黑白模式 ; 光圈：F2.2 ; 曝光時間：1/929秒 ; ISO-50 超級夜景模式 ： 光圈：F2.2 ; 曝光時間2.91秒 ; ISO-100 光圈：F4 ; 曝光時間1/17秒 ; ISO-1250 通過上面的樣張，我們能夠看出華為P9的整體成像素質還是非常出色的，黑白模式，超級夜景等針對多場景進行優化，功能豐富，效果也不錯。在當今國產手機中處於絕對的領先水平。 其實徠卡對於華為P9來說，成像質量的提升固然是一點，但更多的是源自徠卡風格的調教，就像照片更具油畫效果，黑白照片的灰階更加細膩等徠卡相機的成像風格在華為P9上均有所體現，但真的從成像素質上來說，或許徠卡帶來的附加值並不如它的品牌影響力那麼多，搭載徠卡相機的華為P9值不值得我們多花錢：值得，但至於多少可以接受，或許得看徠卡在大家各自心中的位置。 華為P9來到泡泡編輯部後，筆者就對華為P9進行了緊張的測試。通過測試，目前對華為P9搭載的首發海思麒麟955處理器也有了一個大致的印象。可能有些用戶還對海思麒麟955略微有些陌生，沒有關系，下面筆者就來帶大家簡單了解一下這款核心。 首先生產一款處理器必不少的;就是IT技術。在海思麒麟955身上，我們看到的是國人研發團隊積極的信念。全世界內目前將手機SoC設計的很出色的科技企業只有的幾家：蘋果、三星、高通、聯發科和華為。蘋果萬年變態雙核+ios的模式無人能敵。高通的基帶造詣和處理器單元兩項加在一起實力世界第一。三星這一代的Exyon 8890同樣強化了自家的運算核心與基帶單元緊隨其後。MTK布局中低端市場價格最便宜。 可以說世界前四的實力都在那裡擺著，華為想闖出一片屬於自己的自留地何談容易。最早我們的印象中，華為家的處理器玩游戲經常閃退，游戲安裝必須找對版本，轉眼間時間來到了2016年，華為也從那個海思麒麟920的時代，一步步扎扎實實成長到了今日的海思麒麟955。我們先不說海思麒麟955怎麼樣，做一顆手機SoC不是過家家應付了事，能做出如此成就需要過人的決心和對產品研發大方向上的大徹大悟。 在這一點上，華為、三星、蘋果算是一級，技術是自己的，研發是進行的下去的，成果是突出的。可以把手機SoC做出個樣子來，就憑這一點為中國民營企業點贊，畢竟我們也看到了當年的NVIDIA、德州儀器等國際大廠紛紛放棄這攤業務時的團身而退和狼狽。 手機想做好了難，想把處理器做好了更難。沒錢不行，沒人才，更不行。按華為自家說法，華為請的工程師別家都請不起，筆者信。不過華為在麒麟晶元方面走的並不是一帆風順，發熱問題是用戶最為糾結，體驗上最為明顯的問題，因此麒麟955在這一點處理器的代工製造方面選擇了天字一號代工廠TSMC，藉助高通移情別戀的機會，華為榮盛2016年度TSMC 16nm FinFET+工藝的親密合作夥伴。 有用戶可能要問了：什麼是TSMC?什麼是FinFET+?筆者下面一同為大家解答。 tsmc說白了就是生產晶元的工廠，你把晶元圖紙給我，我有技術和工廠，幫你做出晶元按照一定價格連同前期生產研發、調整產線成本和利潤收取晶元加工費。 這家工廠是1987年張忠謀在台灣創立的，創立之初幾乎沒有人看好。但張忠謀發現的，是一個巨大的商機。在當時，全世界半導體企業都是一樣的商業模式。Intel、三星、IBM等巨頭自己設計晶元，在自有的晶圓廠生產，並且自己完成晶元測試與封裝，全能而且無可匹敵。而張忠謀開創了晶圓代工模式，「我的公司不生產自己的產品，只為半導體設計公司製造產品。」這在當時是一件不可想像的事情，因為那時還沒有獨立的半導體設計公司。 後來TSMC不斷壯大，技術實力和價格都不斷取得進步，迎來了大批的訂單，我們熟知的蘋果A系列晶元和高通的驍龍系列晶元大部分都是有台灣TSMC生產的。 TSMC真正的輝煌是在2010年後，Bulk CMOS工藝技術在20nm走到盡頭，TSMC美籍華人胡正明教授團隊發明的FinFET和FD-SOI工藝讓TSMC走在了前面。海思麒麟955其實也是基於FinFET的改進型工藝FinFET+生產而來，目前從網路中能找到的16nm FinFET+工藝資料比較少，不過我們可以通過下面這部紀錄片大致了解一下海思麒麟955的由來。 胡正明教授是鰭式場效晶體管(FinFET)的發明者，如今三星、台積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術。FinFET技術有兩項突破，一是把晶體做薄後解決了漏電問題，二是向上發展，晶片內構從水平變成垂直。打破了原來英特爾全世界最先進的半導體生產技術限制，目前FinFET工藝已經研發到了7nm製程，人類也在不斷探索著半導體製程工藝的極限。 海思麒麟955處理器採用了基於ARM公版方案，4xCortex A72最高頻率2.5GHz，4xCortex A53最高頻率1.8GHz，並且還額外內置了微智核i5處理器。其中Cortex-A72是目前基於ARMv8-A架構處理器中性能最高的處理器，在浮點、整數和內存性能等方面提升顯著，晶體管計算效率配和全新的CCI-400匯流排功不可沒。Cortex-A72現已為16納米FinFET工藝節點優化，最高頻率可達2.5GHz。除了效能的提高，Cortex-A72處理器在依託台積電全新的16nm FinFET+ 工藝下，表現更加優異。 ●GEEKBENCH 在實測中，海思麒麟955處理器單核性能1757分，多核性能6567分。可以看出海思麒麟955在我們比較關注的單核性能中表現一般，但是可以說ARM Cortex-A72的實力就是如此，1700多分的成績在日常使用中不會造成CPU使用的瓶頸，不過與蘋果A9 2500分、高通驍龍820 2300分、Exynos8890 2200分還有一定的差距。 ● GFXBENCH 在主流GPU測試軟甲GFXBENCH中，華為P9跑出了1164Framer/21幀的成績，網友們可自行查閱其競爭對手的跑分成績。筆者認為，由於華為P9的機身較為小巧，背部散熱輔助能力不強，所以海思麒麟955的成績被核心的熱量所束縛住。 ●充電續航測試 充電方面華為P9配備了5V2A充電器，且支持華為FCP充電協議，意在保護華為手機充電時候的安全效率。在日常使用中，華為P9充電速率表現很喜人，0-100充電用時2小時10分鍾，不過我們在測試中屏幕不時開啟、WiFi也沒有斷開。 續航方面，華為P9的3000mAh可以撐下一天的高強度使用，經過在線視頻、聽歌、游戲以及待機過程後，華為P9還剩餘48%左右的電量，這樣的成績依託於不算小的電池和省電的屏幕。 總結 相信看過了上面這些各方面的測試，大家對於華為P9這款產品已經有了一個較為直觀的了解，總體來講各方面表現都較為出色，精雕細琢的外觀，堪比三星S7 edge的拍照表現，不錯的性能，都讓P9這款產品成為了當之無愧的旗艦。 而對於華為和徠卡的合作，筆者認為能提升多少成像質量還是其次，主要是二者的結合對於各自品牌的影響力都會有很大的提升。或許對很多人來講，搭載徠卡相機的華為P9成像另人滿意，多多少少也是因為徠卡相機令人滿意。華為P9的國行售價暫未確定，但超越P8的2888元應該是可以確定的事情，筆者認為，如果徠卡帶來的溢價不大，那麼P9這款產品還是非常值得入手的。

㈧ 多少年了，終於明白了FinFET與FD-SOI製程

業界普遍表明：台積電的16nm好於三星14nm（RX580使用第三代FinFET 14nm，頻率提升了） 並且NVIDIA採用Pascal（帕斯卡）架構，而AMD是Polaris（北極星）兩家技術都不同。 位寬跟顯存是有關系的。（1070 8G就是256-bit）