A. 武漢弘芯項目爛尾背後：武漢合肥半導體產業優勢對比與風口的思考
自中興、華為事件發生後集成電路的地位不斷提升， 社會 與資本對集成電路產業的認識也不斷加深。發展集成電路產業的初衷確實是為了實現國產替代、自主可控，雖然這種思路沒錯但格局著實有點狹隘。當然如果將中國集成電路產業放到實現國家戰略安全的地位，對產業的認識也會更深刻一些。
頂層設計的確瞄向了國家戰略安全這一方向，但落腳到這個產業中，產業和資本的高度還是無法達成統一，因為各自的訴求不同。以中微公司創始人尹志堯為代表的產業從業者固然可以做到十年磨一劍，將刻蝕設備做到全球一線水平，但狂熱資本的不斷湧入，更多的是看到科創板、注冊制等的實施帶來的短期套利空間，畢竟相比以往如今上市的門檻和難度大幅降低。
集成電路是一個技術密集型、知識密集型和資本密集型的產業，如果放到國產替代和國家安全的角度還是一個政策密集型的產業，如果將這四種重要的要素實現深度整合，當然是最理想的狀態，但如果這四種要素中任何一個對集成電路產業的理解與認知出現偏差甚至誤區，則會出現很大的問題，20年前的"漢芯一號"造假事件如此，武漢弘芯項目爛尾也是如此。
武漢弘芯一開始就對這個行業的理解有所誤區，比如一開始就定下的不切實際的目標。武漢弘芯項目原計劃投資1280億元，主要投資目標是建成一條月產能3萬片的14nm邏輯工藝生產線、月產能3萬片的7nm及以下邏輯工藝生產線以及相應的晶圓級先進封裝生產線，但在2017年國內最好的晶圓代工廠中芯國際剛搞定28nm HKMG工藝不久，直到2019年才在梁孟松的帶領下搞定了14nm FinFET工藝。
2017年全球晶圓廠中有能力量產14nm及以下FinFET工藝的也就台積電、英特爾、三星和格芯，其中台積電和三星將技術節點推進到10nm，格芯是12nm，英特爾是14nm++ FinFET工藝，與格芯的12nm相當：
行業龍頭也剛推進到14-10nm，武漢弘芯一開始就要上馬14nm，就當是國內集成電路的產業基礎，可能嗎？
2017年國內技術達不到，資本目的不純，政府對集成電路產業認知較淺，武漢弘芯項目如何推進？
可惜了蔣尚義的一腔熱血。
武漢的集成電路產業基礎還是相當薄弱，更沒法與江蘇和上海這兩個產業集聚地相比，將之比喻為荒漠中的綠洲也不為過。
按申萬行業分類，目前在A股上市的湖北半導體企業有盈方微和台基股份兩家，其中台基股份主要從事大功率半導體器件的生產與銷售，是一家功率半導體企業。但盈方微在湖北荊州，台基股份在湖北襄陽，均不在武漢。
在新三板上掛牌的湖北半導體企業是思存 科技 （839113.OC），公司主要研發與銷售多種類別的Wi-Fi模塊及相關解決方案。公司在技術上得到高通的支持， 2019年營收與凈利潤分別達到2.50億元和0.08億元，業務規模與盈利能力較弱。
東芯通信（430670）是位於合肥市的一家從事LTE基帶晶元研發、銷售及提供解決方案的供應商，但目前由於4G網路已經成為過去，公司業績也一落千丈，2019年營收僅有0.15億元，凈利潤虧損0.12億元，已經連續四年虧損。
過去的終究要過去。
在光模塊及光晶元領域武漢具有一定優勢，光迅 科技 、華工 科技 具有較強的技術實力，其中光迅 科技 是國內少有的業務涉及光晶元、光器件和光模塊產業鏈的企業，而且公司依靠大股東烽火集團旗下的烽火 科技 ，產品可以很好的切入終端。但是在目前火熱的高通量光模塊領域公司相比中際旭創和新易盛有所滯後，相比已經研發出1000G光模塊的華為以及Finisar等國外巨頭差距更是明顯：
合肥與武漢在存儲器領域的競爭優勢相當明顯。武漢長江存儲在3D NAND領域已經形成一定規模，技術上4月份推出的X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶元容量的存儲器件。技術上與海力士、三星、鎧俠等差距也就1-2代，如果公司能及時推出196層甚至256層3D NAND，技術上的差距已經相當小了。另外武漢新芯（XMC）除了Nor Flash等存儲器件，自有晶圓廠也可以為客戶提供55nm製程的低功耗邏輯和射頻等工藝。
在DRAM領域合肥長鑫實現了重大突破，公司現有產品主要有DDR4內存晶元、LPDDR4X和DDR4模組，而且在中低端消費電子領域實現商業化。不過目前三星、海力士等已經將技術延伸到DDR5，在技術上還有一代的差距。
在半導體設備領域領域，武漢精測電子和合肥芯碁微是具有代表性的企業。精測電子是從事TFT-LCD/OLED等平面顯示信號測試技術研發、開發、生產與銷售的企業，在平面顯示信號測試領域位於國內領先水平。不過公司目前將業務向半導體檢測延伸，未來公司有望形成平面顯示+集成電路檢測雙主業格局。
合肥芯碁微主要從事以微納直寫光刻技術為核心的直接成像設備及直寫光刻設備研發、製造及銷售，但目前公司的直寫光刻機主要用於PCB，在平面顯示領域有一定布局。由於技術自身局限，合肥芯碁微的直接成像技術還不能很好的應用於硅基半導體器件深亞微米節點的製造。
綜上所述，從目前集成電路產業布局來看，除了長江存儲和合肥長鑫的存儲器件，武漢和合肥的集成電路產業發展水平總體遜於江蘇和上海，但以光迅 科技 為代表的光模塊企業、以精測電子、合肥芯碁微為代表的設備製造企業在個別領域具有一定規模。
除了合肥長鑫，合肥的集成電路產業亮點不多，但如果從產業鏈布局來看，合肥的產業基礎要略好於武漢。
集成電路產業鏈主要分為設計、製造和封測，目前武漢和合肥在設計領域存在明顯短板。武漢昊昱微電子是從事功率半導體及模擬半導體設計的企業，公司基於CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工藝開發了HYM533低功耗8位四路DAC、音頻功放IC等器件；合肥比較具有代表性的設計企業有合肥芯谷微電子、合肥恆爍半導體等設計企業，而且這些企業由"最牛風投機構"合肥市政府投資，部分設計企業頗具特色，但相比聖邦股份、兆易創新等企業，差距太明顯。
在封測領域合肥的基礎要好得多，而武漢則一片空白。封測領域合肥目前擁有合肥合晶和合肥速芯兩家封測企業，其中成立於2000年的合肥合晶覆蓋TO、SOT和DIP封裝技術；成立於2018年12月的合肥速芯是集成電路行業咨詢公司摩爾精英旗下封測企業，擁有QFN、BGA、SiP等封裝技術：
當然合肥速芯的競爭力還來自於摩爾精英在集成電路行業中的資源整合能力，這一點可能是合肥合晶所不擁有的。
在製造領域武漢和合肥均有晶圓廠，其中合肥長鑫和長江存儲各有一座300mm晶圓廠，主要是這兩家企業均採用了IDM模式，這也是三星和海力士等存儲器龍頭的典型模式。除此以外PowerChip和XMC（武漢新芯）分別在合肥和武漢擁有一座300mm晶圓廠，產能較小，而且主要以成熟節點為主。
合肥集成電路產業的優勢是打通了設計、製造和封測，武漢雖然有武漢新芯這樣的晶圓代工廠，但封測還有短板。
當然在光模塊等領域武漢有獨特的競爭優勢。
有人曾將中國半導體投資者歸納為無知者無畏型、無恥者無畏型和既無知又無恥型三類，其中無知者無畏型主要是地方政府，出於各種目的往往會出現"義和團"式的"造芯運動"，典型代表就是武漢弘芯這個爛尾項目。無恥者無畏型主要是產業內企業"杠桿"式的"堵芯"，懷著撞大運的心理借著主業的成功賭博式發展集成電路這個副業。既無知又無恥型就是那些暴躁狂熱的資本，他們對產業規律視而不見，搞跨界投機式的"騙芯"。
一級市場如此，二級市場同樣炒作投機之風盛行，最典型的就是中芯國際上市前後的炒作以及半導體板塊的暴漲暴跌，讓一眾投資者吃了悶癟。
集成電路行業是一個大投資、重積累、長周期、慢回報和高風險的行業，科創板和注冊制的推出只是解決了一個資本順利退出的通道，但產業本身特徵是無法在資本加持下能改變的，如果只是抱著投機甚至賭或騙的心態悶頭扎入集成電路行業，可能自己怎麼沒的都不知道。
65nm製程的SoC晶元設計及流片成本2850萬美元，16nm的設計及流片費用高達1.06億美元，足可以讓很多中小型設計企業倒閉好多次了。