A. linux單機提交VASP任務的命令
同意這位童鞋的意見。。。弄了台聯想的T350機器，支持的linux系統只有RHEL和SUSE的企業版本。。。收費啊而且也不熟悉。。。Ubuntu Server裝不上，CentOS裝上了不知道為啥卡的要死。:work:...
這個不是機器的問題，我們的伺服器是IBM的，也看過戴爾的機器，官方的系統都是這兩個，但是其他的系統應該不影響安裝的，只要陣列卡做好了，驅動打上了，都是沒有問題的，而且我的機器目前還沒遇到驅動問題。我曾經打過戴爾和IBM總部客服，他們的工程師是說他們不是說不支持，只是說官方沒有測試過，但是在一些特殊需求的客戶中他們還是裝過比如ubuntu之類的系統的。建議
B. [轉載]VASP能夠進行哪些過程的計算怎樣設置
我們平時最常用的研究方法是做單點能計算，結構優化、從頭計算的分子動力學和電子結構相關性質的計算。 一般我們的研究可以按照這樣的過程來進行 如果要研究一個體系的最優化構型問題可以首先進行結構弛豫優化，然後對優化後的結構進行性質計算或者單點能計算。 如果要研究一個體系的熱力學變化過程可以首先進行分子動力學過程模擬，然後在某個溫度或壓強下進行性質計算或者單點能計算。 如果要研究一個體系的熱力學結構變化可以首先在初始溫度下進行NVT計算，然後進行分子動力學退火，然後在結束溫度下進行性質計算研究。 什麼是單點能計算(single point energy)？如何計算？ 跟其它軟體類似，VASP具有單點能計算的功能。也就是說，對一個給定的固定不變的結構（包括原子、分子、表面或體材料）能夠計算其總能，即靜態計算功能。 單點能計算需要的參數最少，最多隻要在KPOINTS文件中設置一下合適的K點或者在INCAR文件中給定一個截斷能ENCUT就可以了。還有一個參數就是電子步的收斂標準的設置EDIFF，默認值為EDIFF=1E-4，一般不需要修改這個值。 具體來說要計算單點能，只要在INCAR中設置IBRION=-1也就是讓離子不移動就可以了。 什麼是結構優化(structure optimization)？如何計算？ 結構優化又叫結構弛豫（structure relax），是指通過對體系的坐標進行調整，使得其能量或內力達到最小的過程，與動力學退火不同，它是一種在０Ｋ下用原子間靜力進行優化的方法。可以認為結構優化後的結構是相對穩定的基態結構，能夠在實驗之中獲得的幾率要大些（當然這只是理論計算的結果，必須由實驗來驗證）。 一般要做弛豫計算，需要設置弛豫收斂標准，也就是告訴系統收斂達成的判據（convergence break condition)，當系統檢測到能量變化減小到一個確定值時例如EDIFFG=1E-3時視為收斂中斷計算，移動離子位置嘗試進行下一步計算。EDIFFG這個值可以為負，例如EDIFFG=-0.02，這時的收斂標準是當系統發現所有離子間作用力都小於給定的數值，如０.０２eV/A時視為收斂而中斷。 弛豫計算主要有兩種方式：准牛頓方法(quasi-Newton RMM-DIIS)和共軛梯度法(CG)兩種。准牛頓方法計算速度較快，適合於初始結構與平衡結構（勢能面上全局最小值）比較接近的情況，而CG方法慢一些，找到全局最小的可能性也要大一些。選擇方法為IBRION=1時為准牛頓方法而IBRION=2時為CG方法。 具體來說要做弛豫計算，設置IBRION=1或者2就可以了，其它參數根據需要來設置。NSW是進行弛豫的最大步數，例如設置NSW=100，當計算在100步之內達到收斂時計算自動中斷，而100步內沒有達到收斂的話系統將在第100步後強制中止（平常計算步數不會超過100步，超過100步可能是計算的體系出了問題）。參數通常可以從文獻中發現，例如收斂標准EDIFFG等。 有的時候我們需要一些帶限制條件的弛豫計算，例如凍結部分原子、限制自旋的計算等等。凍結部分原子可以在POSCAR文件中設置selective dynamic來實現。自旋多重度限制可以在INCAR中以NUPDOWN選項來設置。另外ISIF選項可以控制弛豫時的晶胞變化情況，例如晶胞的形狀和體積等。 費米面附近能級電子分布的smearing是一種促進收斂的有效方法，可能產生物理意義不明確的分數占據態情況，不過問題不大。在INCAR文件中以ISMEAR來設置。一般來說K點只有一兩個的時候採用ISMEAR=0，金屬體材料用ISMEAR=1或2,半導體材料用ISMEAR=-5等等。不過有時電子步收斂速度依然很慢，還需要設置一些演算法控制選項，例如設置ALGO=Very_Fast，減小真空層厚度，減少K點數目等。 弛豫是一種非常有效的分析計算手段，雖然是靜力學計算但是往往獲得一些動力學得不到的結果。
C. vasp出現zbrent時還需要繼續計算嗎
vasp出現zbrent時還需要繼續計算
用HSE06方法計算半導體的能帶結構，首先DFT計算進行離子弛豫，然後HSE06 進行靜態自洽計算。最後在這一步的基礎上讀取波函數進行能帶計算。但是我的理論知識不夠，能帶計算的的路徑不會選取，關於布里淵區的相關知識不太懂，有人說可以將上一步的IBZKPT文件拷貝到KPOINTS中，然後把高對稱點拷貝到後面，權重為0，更新K點總數即可。
D. VASP計算能帶圖，怎樣自動生成K點，並設置KPOINTS文件
用HSE06方法計算半導體的能帶結構，首先DFT計算進行離子弛豫，然後HSE06 進行靜態自洽計算。最後在這一步的基礎上讀取波函數進行能帶計算。但是我的理論知識不夠，能帶計算的的路徑不會選取，關於布里淵區的相關知識不太懂，有人說可以將上一步的IBZKPT文件拷貝到KPOINTS中，然後把高對稱點拷貝到後面，權重為0，更新K點總數即可。
E. 請教vasp計算伺服器配置
the forces acting on the ions are calculated from ab-initio using a self-consistent electronic density and Hellmann-Feynman fo ... Hellmann–Feynman force在量子力學的教程都有介紹,力就是能量對位移的一次微分的負值,即 F=-delta V, delta是倒三角的梯度算符,所以力的單位有ev/A.leoaqu(站內聯系TA)設置EDIFFG在incar里lvjian8596(站內聯系TA)Originally posted by stractor at 2009-6-25 22:43:
Hellmann–Feynman force在量子力學的教程都有介紹,力就是能量對位移的一次微分的負值,即 F=-delta V, delta是倒三角的梯度算符,所以力的單位有ev/A.ustbmars(站內聯系TA)請教一下,什麼是哈密頓量,是能量的泛函么?
F. vasp畫能帶問題 求教各位
請告訴我！物理，我真的很喜歡畫畫，讓我有目標下手。我不僅僅是因為怕文化課差上不了大學才決定藝考，生物各科100分）。謝謝，才考了357，或者文化課至少要達到幾分的。如果各位有誰知道國美錄取相關信息的，也請告訴我
G. vasp計算哪些問題有優勢
vasp相比其他收費的軟體便宜，相比免費的軟體發展的完善，使用相對簡單。速度快，效率高。用的人多，討論起來容易。一句話，性價比高。
H. vasp計算能帶出錯，求助
用VASP DFT計算能帶時我需要考慮自旋軌道耦合（SOC）
我的問題如下：
（1）計算時，在INCAR中加入SOC的參數，是考慮在SCF自洽時加，還是在 band計算加入。
（2）加入的參數該如何設置，網上有朋友說加入下列參數就可以了
LNONCOLLINEAR= .TRUE
LSORBIT = .TRUE.
SAXIS = 0 0 1 ! (quantisation axis for spin)
我想請算過SOC的朋友指導下
（3）如果是 hse06 +soc時計算能帶時什麼時候加入SOC參數
I. 求助一下如何超算中心提交vasp任務
劉仕晨(站內聯系TA)vasp是不能直接計算聲子譜的，至少我不知道啦，我們經費不多，所以是用的phonopy介面vasp計算的，當然也還在摸索中，不知道其他大神有沒有好的方法，或者用pwscf計算聲子劉仕晨(站內聯系TA)集群裝phonopy可能有點麻煩了。