⑴ 普通的台式機可以用vasp嗎
裝VASP運行肯定是可以的，只是計算稍大點的體系速度就慢得要命了,你可以直接裝linux系統或是裝虛擬機的linux系統。
⑵ vasp計算哪些問題有優勢
vasp相比其他收費的軟體便宜，相比免費的軟體發展的完善，使用相對簡單。速度快，效率高。用的人多，討論起來容易。一句話，性價比高。
⑶ vasp什麼時候用到wavecar
WAVECAR的波函數針對於原來的k點,使用linemode k點已經變化了讀取也沒什麼意義...具體原因現在也沒有個定論,但是在vasp的論壇上說,只要不是在幾何優化的時候,
⑷ vasp出現zbrent時還需要繼續計算嗎
vasp出現zbrent時還需要繼續計算
用HSE06方法計算半導體的能帶結構，首先DFT計算進行離子弛豫，然後HSE06 進行靜態自洽計算。最後在這一步的基礎上讀取波函數進行能帶計算。但是我的理論知識不夠，能帶計算的的路徑不會選取，關於布里淵區的相關知識不太懂，有人說可以將上一步的IBZKPT文件拷貝到KPOINTS中，然後把高對稱點拷貝到後面，權重為0，更新K點總數即可。
⑸ vasp5.2編譯大概需要多長時間
小木蟲上有很多類似的帖子，可去小木蟲論壇看看，如「vasp 5.2 並行版本的編譯」，若想編譯單獨的BLAS庫函數，則可參考「gfortran+mpich2編譯siesta」中有關編譯BLAS庫函數的內容(引號內為小木蟲論壇里帖子標題)
⑹ [轉載]VASP能夠進行哪些過程的計算怎樣設置
我們平時最常用的研究方法是做單點能計算，結構優化、從頭計算的分子動力學和電子結構相關性質的計算。 一般我們的研究可以按照這樣的過程來進行 如果要研究一個體系的最優化構型問題可以首先進行結構弛豫優化，然後對優化後的結構進行性質計算或者單點能計算。 如果要研究一個體系的熱力學變化過程可以首先進行分子動力學過程模擬，然後在某個溫度或壓強下進行性質計算或者單點能計算。 如果要研究一個體系的熱力學結構變化可以首先在初始溫度下進行NVT計算，然後進行分子動力學退火，然後在結束溫度下進行性質計算研究。 什麼是單點能計算(single point energy)？如何計算？ 跟其它軟體類似，VASP具有單點能計算的功能。也就是說，對一個給定的固定不變的結構（包括原子、分子、表面或體材料）能夠計算其總能，即靜態計算功能。 單點能計算需要的參數最少，最多隻要在KPOINTS文件中設置一下合適的K點或者在INCAR文件中給定一個截斷能ENCUT就可以了。還有一個參數就是電子步的收斂標準的設置EDIFF，默認值為EDIFF=1E-4，一般不需要修改這個值。 具體來說要計算單點能，只要在INCAR中設置IBRION=-1也就是讓離子不移動就可以了。 什麼是結構優化(structure optimization)？如何計算？ 結構優化又叫結構弛豫（structure relax），是指通過對體系的坐標進行調整，使得其能量或內力達到最小的過程，與動力學退火不同，它是一種在０Ｋ下用原子間靜力進行優化的方法。可以認為結構優化後的結構是相對穩定的基態結構，能夠在實驗之中獲得的幾率要大些（當然這只是理論計算的結果，必須由實驗來驗證）。 一般要做弛豫計算，需要設置弛豫收斂標准，也就是告訴系統收斂達成的判據（convergence break condition)，當系統檢測到能量變化減小到一個確定值時例如EDIFFG=1E-3時視為收斂中斷計算，移動離子位置嘗試進行下一步計算。EDIFFG這個值可以為負，例如EDIFFG=-0.02，這時的收斂標準是當系統發現所有離子間作用力都小於給定的數值，如０.０２eV/A時視為收斂而中斷。 弛豫計算主要有兩種方式：准牛頓方法(quasi-Newton RMM-DIIS)和共軛梯度法(CG)兩種。准牛頓方法計算速度較快，適合於初始結構與平衡結構（勢能面上全局最小值）比較接近的情況，而CG方法慢一些，找到全局最小的可能性也要大一些。選擇方法為IBRION=1時為准牛頓方法而IBRION=2時為CG方法。 具體來說要做弛豫計算，設置IBRION=1或者2就可以了，其它參數根據需要來設置。NSW是進行弛豫的最大步數，例如設置NSW=100，當計算在100步之內達到收斂時計算自動中斷，而100步內沒有達到收斂的話系統將在第100步後強制中止（平常計算步數不會超過100步，超過100步可能是計算的體系出了問題）。參數通常可以從文獻中發現，例如收斂標准EDIFFG等。 有的時候我們需要一些帶限制條件的弛豫計算，例如凍結部分原子、限制自旋的計算等等。凍結部分原子可以在POSCAR文件中設置selective dynamic來實現。自旋多重度限制可以在INCAR中以NUPDOWN選項來設置。另外ISIF選項可以控制弛豫時的晶胞變化情況，例如晶胞的形狀和體積等。 費米面附近能級電子分布的smearing是一種促進收斂的有效方法，可能產生物理意義不明確的分數占據態情況，不過問題不大。在INCAR文件中以ISMEAR來設置。一般來說K點只有一兩個的時候採用ISMEAR=0，金屬體材料用ISMEAR=1或2,半導體材料用ISMEAR=-5等等。不過有時電子步收斂速度依然很慢，還需要設置一些演算法控制選項，例如設置ALGO=Very_Fast，減小真空層厚度，減少K點數目等。 弛豫是一種非常有效的分析計算手段，雖然是靜力學計算但是往往獲得一些動力學得不到的結果。
⑺ Vasp、Materials Studio、Gauss 研究材料有什麼區別，哪個好用，謝謝啊
vasp一般採用周期性邊界條件來處理原子、分子、團簇、納米線，薄膜、晶體、准鏡和我定性材料，以及表面體系，也太體系和固體，可以計算材料的結構參數和構型、狀態方程和力學性質、電子結構、光學、磁學和晶格動力學性質等等。
Materials studio可以進行構型優化、性質預測和X射線衍射分析，以及復雜的動力學模擬和量子力學等方面的計算。有Materials Visualizer、Discover、COMPASS、Amorphous Cell、Reflex、Reflex Plus、Equilibria、DMol3、CASTEP等模塊，分別由各自的擅長領域。
Gauss可以計算分子能量和結構、過渡態能量和結構、鍵和反應能量、分子軌道、多重矩、原子電荷和電勢、振動頻率、紅外和拉曼光譜、核磁性質、極化率和超級化率、熱力學性質和反應路徑等等，計算可以對體系的基態或激發態執行 ，可以預測周期性體系的能量、結構和分子軌道。
三者各有各的適用范圍，我一般用vasp算周期性結構，MS建模、粗優化，Gasuss算分子。
⑻ vasp hse06最大算多大體系
用VASP DFT計算能帶時我需要考慮自旋軌道耦合（SOC） 我的問題如下： （1）計算時，在INCAR中加入SOC的參數，是考慮在SCF自洽時加，還是在 band計算加入。
⑼ VASP需要多大的內存和CPU,什麼樣的配置，筆記本上行嗎
筆記本上算vasp不太現實，做做例子還行。否則發熱量太大了。我在自己的筆記本上算過，三個小時後熱得不行。